MOSFETグリッド ドライバー BD2320EFJ-LA
IGBT

MOSFETグリッド ドライバー - BD2320EFJ-LA - ROHM Semiconductor - IGBT
MOSFETグリッド ドライバー - BD2320EFJ-LA - ROHM Semiconductor - IGBT
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特徴

特性
MOSFET, IGBT

詳細

本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証するランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BD2320EFJ-LAはブートストラップ方式を用いた外付けNch-FETを駆動可能な100V耐圧のハイサイド/ローサイドゲートドライバです。100V耐圧のブートストラップダイオードを内蔵しており、入力ロジック電源電圧に3.3V及び5.0Vが使用可能です。保護機能としてハイサイド及びローサイドに低電圧誤動作防止回路(UVLO)を搭載しています。 生産効率向上を目的とした生産ラインを変更した機種「BD2320UEFJ-LA」を、新規のご採用に推奨します。なお、データシート内の保証特性に差異はありません。

見本市

この販売者が参加する展示会

ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 11月 2026 Munich (ドイツ) ホール C3 - ブース 520

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    *価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。