赤外線顕微鏡 NIR

研究用半導体用近赤外線（NIR）

概要
本NIR顕微鏡は、裏面からのシリコンウェーハ近赤外イメージングに対応しています。デモとデータは波長比較と画像処理ワークフローに焦点を当てており、半導体の検査・研究に適した内容です。

評価ビデオ
評価ビデオは、ウェーハ裏面の撮像と画像処理の例をタイムラインで示します：

• 0 秒：シリコンウェーハ裏面の表面
• 7 秒：1100 nm のパターン画像
• 16 秒：画像処理後の1100 nm パターン画像
• 27 秒：1300 nm のパターン画像
• 38 秒：1550 nm のパターン画像

比較画像
1100 nm、1300 nm、1450 nm、1550 nmで取得したウェーハ裏面画像の並列比較により、波長ごとのコントラストおよび特徴の可視性を示します。

含まれる画像

• 顕微鏡とウェーハ画像を表示する複数スライドの画像カルーセル（Slide1〜Slide16）
• ウェーハ裏面パターンを示す比較画像（ファイル名：bawah1、bawah2、bawah3）

仕様 / 技術データ

• 比較波長：1100 nm、1300 nm、1450 nm、1550 nm
• 画像処理デモを含む（評価ビデオの16秒時点の例）
• 視覚資料：マルチスライドの画像カルーセルおよびラベル付き比較ファイル
• NIRイメージングのタイムラインと処理結果を示すデモ動画が利用可能