レーザー用アンプ

RF光学式デジタル

デジタル時代の実現を可能にするEUVリソグラフィ EUVリソグラフィは将来のマイクロチップの製造方法として、先頭を切っています。半導体業界は何年にもわたって、小型化が今後も進むシリコンウェーハ上構造の露光を可能にする、費用効率が高く量産に適した方法を探し求めてきました。ASML、ZeissとTRUMPFは共同で、産業使用に適した波長13.5 nmの極端紫外線 (EUV) を得る技術を開発しました。この技術では真空チャンバー内で、液滴ジェネレータが錫の微小液滴を毎秒50,000個射出します。これらの液滴それぞれに50,000個のレーザーパルスの一つが当たることで、液滴がプラズマに変化します。それにより発生したEUV光を、露光の対象となるウェーハにミラーを使用して向けます。プラズマ放射用のレーザーパルスは、TRUMPFが開発したパルス対応型CO2レーザー装置であるTRUMPFレーザー増幅器から発せられます。 数ワットから40キロワットへ TRUMPFレーザー増幅器は、レーザーパルスを順次10,000倍以上に増幅します。 高い効率とプロセス安全性 プレパルスとメインパルスを放出することで、レーザー増幅器のフル出力を錫液滴に伝えることができます。 CO2レーザーの新しい用途 高出力レーザーシステムの基礎は、連続波モードで稼働するCO2レーザーです。TRUMPFはこれにより、同技術の新しい用途を生み出したことになります。 スペシャリストの大きなネットワーク TRUMPF、ASMLとZEISSは長年にわたる密接な協力体制のもとで、EUV技術を産業界に適したレベルに引き上げました。