RFアンプ

電圧: 380 V - 415 V
電流: 72, 20.5 A
出力: 3,000, 5,000, 10,000 W

... R&S®BBL200 広帯域アンプは、ハイRFパワーを必要とするアプリケーションに最適です。R&S®BBL200 広帯域アンプは、リニアクラスAのアンプで、9 kHz～250 MHzの周波数レンジで3 kW、5 kW、および10 kWのパワーを出力します。水冷、半導体、堅牢、静寂、高い効率性という特長を備えています。すべてのランタイムパラメータの正確なモニタリングにより、最高レベルの堅牢性と信頼性を確保しています。アンプは連続動作に対応した設計で、条件のミスマッチがあっても一定のパワーを供給します。 主な特長 ...

周波: 150, 220 MHz

... MDS Power Amplifierファミリーは、150MHzと220MHz帯の送信信号を強力に増幅します。900MHzモデルはFCC承認待ちです。 主な利点 -基地局とリピータに100%のデューティサイクルを提供します。 -送信パワーの増加により、ワイヤレス範囲が拡大。 -シングルアンテナジャックのトランシーバーに自動送受信スイッチングを提供。 -送信専用アプリケーションで使用可能。 -ほとんどのトランシーバーでプラグアンドプレイが可能で、高度なMACを搭載したデータ無線の高速送受信切り替えに対応。 -セットアップと使用が簡単 特徴 -100%デューティサイクルのアプリケーションに対応する大型ヒートシンクを備えた堅牢な設計 -ファンなどの可動部が不要 -フィールド調整可能なTXパワー -ユーザー選択可能なキーイング・モード（RF検出または外部キー・ライン） -最新の高速データ無線MAC用の高速T/Rターンアラウンド -効率的なクラスAB動作 ...

... 重要な機能とワイヤレス通信のコスト削減。当社の中出力MMICシリーズは、eMeteringとベースステーションアプリケーションを可能にします。これらのICはクラスAとABの間で調整可能で、主電源またはバッテリ電源のいずれかからの電力線ネットワーク動作をサポートします。これらの製品は、内蔵の温度補償バイアスやイネーブル/シャットダウン回路などの機能を内蔵した単一電源動作を提供します。 BGA7xxxデバイスは、当社の画期的なQUBiC4プロセスで製造され、同等のGaAs製品と同等レベルのRF性能を提供しますが、低コストでESD耐性などの追加機能を備えています。 ...

周波: 200 MHz

... e2v 技術は、レーダー・レシーバ・アプリケーション向けに、アイソレータを内蔵した200MHzの帯域幅、超低ノイズXバンド・ノイズ・アンプを開発しました。 マイクロストリップ遷移への新しいインライン導波路は、入力と出力に軸方向フォーマットを与えるために使用されます。 このアンプ・チェーンは、特性が高く実績のあるディスクリート半導体段を利用しています。入力アンプ段はシングルエンドで、低ノイズのHEMTデバイスで設計されています。出力段は、バランスのとれた段で中電力 GaAsFETを使用します。 ...

周波: 2 GHz - 18 GHz

... モデルA10200は、高周波数、高出力の信号増幅のために設計された、超小型、超広帯域、ハイパワーアンプです。約20GHzの超広帯域と50Ωで最大+28dBmのパワーを持つA10200は、過酷なアプリケーションのために拡張パワーブーストを必要とするあらゆる信号源の理想的な補完的アンプです。 # 100kHz〜20GHzの広帯域を実現 # 極性反転保護機能 # 過剰/不足電圧保護 # +28dBm typ. 出力パワー @ P1dB # 専用電源によるコンパクトで使いやすい設計 ...

電圧: 100 V - 240 V
出力: 10 W
周波: 0 MHz - 10 MHz

電圧: 1.9 V - 2.5 V
出力: 1 W
周波: 860 MHz - 960 MHz

... CMX90A003は、2段の完全整合MMIC PAで、860～960 MHzの周波数帯域で使用できる+29.5 dBmの飽和電力を供給します。 このデバイスは、1.9～2.5Vの低いコレクタ電圧での効率に最適化されており、スーパーキャパシタ・バックアップ・ストレージを使用するシステムに適しています。 CMX90A003は、使いやすさを考慮して高度に集積化されており、外付け部品数を最小限に抑え、基板面積を縮小しています。RF入出力マッチングは、アクティブ・バイアス回路と入力DCブロッキング・コンデンサと同様にオンチップで組み込まれています。 先進のGaAs ...

... RF MORECOMタワー・マウント・アンプ（TMA）は、マストヘッド・アンプ（MHA）またはタワー・トップ・ロー・ノイズ・アンプ（TTLNA）として知られています。 ネットワーク事業者がサイトのパフォーマンスを向上させる効果的な方法です。 RF MORECOMは、携帯電話加入者からの弱いアップリンク信号を増幅し、より高いデータレート、より良い建物への浸透、信号範囲の改善を可能にする各帯域用のTMAを製造しています。 特徴 - 完全なAISGおよびCWA動作 - システム・ノイズ性能を向上させるアップリンク利得 - ...

電圧: 4.5 V - 5.5 V
電流: 110, 210 mA
周波: 2 MHz - 6,000 MHz

... TBWA2広帯域RFアンプは、実験室のセットアップに簡単に組み込むことができる汎用性の高いビルディングブロックです。2MHzから6GHzの帯域幅を持ち、EMCニアフィールドプローブでピックアップした信号をブーストするのに理想的です。TBWA2広帯域アンプは、20dBまたは40dBのゲインがあります。 仕様 入力50オーム、SMA 出力50オーム、SMA 公称電源電圧ミニUSB-Bコネクタ 最大入力パワー+10dBm 1dB出力圧縮ポイント@2GHz：+20dBm 3次出力インターセプト・ポイント@2GHz、Pin ...

出力: 3, 9 kW

... 5CX1500Aは、無線周波数アプリケーションでクラスC rfパワーアンプとして使用するように設計されています。 FM 放送サービスでは、 信頼性を向上させるために、5CX1500Aの代わりに5CX1500Bを推奨します。 ...

周波: 100 kHz - 80,000 kHz

... VRA-V01は、2つの異なる入力の間で選択できる、個別に増幅された10出力への分配器RFです。この機構により、しきい値以上の信号レベルを持つ入力を選択する自動切り替えが可能です。スイッチは、RS-232シリアル接続、または入口のドライ接点（TLC）を介してデバイスに提供されるリモートコントロールでもアクティブにすることができます。 各出力はアンプとカップリングトランスを備えています。レベルは最小-2dBmから最大16dBmの間で個別に調整可能です。優れた直線性と低ノイズにより、VRA-V01は基準周波数や変調されたRF信号のスイッチングなど、幅広い用途に使用できます。入力段はまた、入力RFのレベルを特に正確に表示します。ダイナミック・レンジは0 ...

電圧: 90 V - 265 V

... 077EYAxxシリーズEr-Ybファイバーアンプは、利得スペクトル帯域幅1535～1565nmの高出力マルチ出力ファイバーアンプです。CATVや連続18チャンネル（ITU波長）のアプリケーション向けに設計されています。主要都市におけるFTTH大規模カバレッジのCATVシステムに柔軟で低コストなソリューションを提供します。 性能特性 Er-Yb共添加ダブルクラッドファイバー技術と低ノイズポンプレーザーを採用。 ディスプレイのバックライト制御機能により、必要に応じてバックライト時間を調整可能。 包括的なオーディオビジュアルアラーム機能により、インジケータライトとブザーによるデュアルアラームをサポートします。 u ...

周波: 71 GHz - 86 GHz

... フィルトロニクスの Hades アクティブ・ダイプレクサーの製品群により、OEM（相手先商標製品製造会社）は E バンド無線のコストを削減しながら、RF 性能を大幅に向上させることができます。 当社のアクティブ・ダイプレクサは、Eバンド・ダイプレクサ内に設定可能な範囲のGaAs PAとLNAを組み込み、サイズと重量を削減しながら性能を最大化することができます。 アクティブダイプレクサは、市販のSMT対応パッケージGaAs/SiGeアップ/ダウンコンバータソリューションと組み合わせて使用することができ、表面実装製品よりも高い性能を得ることができます。これにより、お客様は無線機構を変更することなく、設定可能な「標準出力」と「高出力」のEバンドリンクを展開することができます。 アクティブダプレクサは、送信電力校正とALCを容易にするために、送信電力検出器を内蔵しています。指定された場合、モジュールは、Txディテクタ対周波数/電力およびRxゲイン情報を内蔵I2C ...

電圧: 3.3 V
電流: 5.6 mA
周波: 22 GHz - 29 GHz

... LNA_024_005は，Kバンドの高周波用途に開発した，特に低ノイズなアンプICです。当社LNA_024_004を機能信頼性の面で改良したものです。両ICの設計仕様およびフットプリントは同一です。 LNA_024_005は、SiGe技術と最適化された回路設計により、3.2dB以下の低雑音指数を実現しています。また、7.2GHzに迫る広帯域を実現しており、広帯域レーダーやkバンド無線通信システムでの信号増幅に適しています。 本製品は、低利得モードと高利得モードを選択できる利得制御機能を備え、いずれもリニアに増幅することが可能な低雑音アンプチップです。また、オンとオフの状態を素早く切り替えることができるため、低デューティサイクルによる省電力化など、パルスモードでの動作も可能です。パワーイネーブルピンにより、動作モードとパワーダウンモードの切り替えが可能で、信号がない場合のノイズの影響を最小限に抑えることができます。 ...

出力: 5 W
周波: 750 MHz - 4,000 MHz

... 最大3.5GHz,4W,2х2mm 最先端のRF IC設計技術で構築 パッシブRF IC、外部DC電源不要 広い周波数範囲750-4000MHz 小型サイズ：2.0 x 2.0 mm 超低損失、低VSWR 優れた指向性 広い周波数帯域をカバー 高アイソレーション 優れた再現性 テープ＆リール パワーハンドリング：4または5ワット RFIDリーダー、アクティブタグ、アンテナ 小型中継器、LTEホーム中継器 フィードフォワードアンプ 信号のサンプリング ...

出力: 3,000 W
周波: 10 kHz - 100,000 kHz

... ETS-Lindgrens Model 8000-08 RFパワーアンプは3000Wのパワーアンプで、主にMIL-STD 461 RS103、200V/mを含むEMCアプリケーション用に設計されています。GaAs技術を利用したこのRFアンプは、シリコンベースのアンプに比べ、高い直線性、堅牢な設計、優れた効率性能を提供します。8000-008は、非常に低い歪みと100%のミスマッチに対する耐性を提供します。 主な特長 MIL-STD 461 RS103、200 V/m 高信頼性GaAs設計 優れた性能と効率 ...

出力: 2,000, 2,500, 4,500, 7,000 W

... PicoFlux HEシリーズは1064nmの高エネルギーピコ秒パルスを供給するために設計された高エネルギーフラッシュランプ励起ピコ秒アンプです。これらのアンプは高パルスエネルギー、優れたパルス間エネルギー安定性、優れたビーム品質を提供し、OPCPA励起、非線形光学、先端分光などの要求の厳しいアプリケーションに最適です。 特徴

• フラッシュランプ励起ピコ秒アンプ
• 最大パルスエネルギー2.2Jまで
• 20～300psのパルス幅
• 10Hzのパルス繰り返し周波数
• ダイオード励起再生増幅器
• 内部または外部シードソース
• 高パルスエネルギー用の高度なビーム整形
• 熱誘起複屈折補正
• 設計
アプリケーション
• 時間分解分光法
• SFG/SHG分光法
• 非線形分光法
• OPCPA励起
• OPG/OPA励起
• リモートレーザーセンシング
• 衛星測距
• その他の分光および非線形光学アプリケーション
説明回生アンプ/パワーアンプ設計内蔵高調波発生器

出力: 20 W
周波: 30 MHz - 512 MHz

... A-2303は、ウルトラライフのRFアンプ開発における長年の成功の歴史における最新のアンプです。 A-2303アンプは、当社が20年以上前に初めて開発したRFセンシング技術を継承しています。必要な無線インターフェースはすべて1本のRFケーブルで行います。ここから、アンプは自動的に必要なすべての検出と分類を行い、無線RFの忠実な再現と所望の増幅を提供します。A-2303は、レガシー波形だけでなく、多くの最新の独自波形や軍用波形にも対応しています。 低電力PRR無線機での使用に最適化され、20ワットのRF駆動電力を〜0.75ワットで供給します。 リモート・オン/オフ・コントロール。 オプションのアクティブ冷却モジュール用電源は、アンプ底面にあり、シームレスに統合できます。 認証 ...

出力: 1 W

周波: 0.05 MHz - 500 MHz

... AP-0.5GZ23アンプは、RFC-101シリーズRF電流プローブで使用できる低ノイズ、広帯域アンプです。 2.0 主な特長 - 高ゲイン、低ノイズ - 広帯域 - 標準50オーム入出力 - AC電源アダプター付属 ...