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電流: -16.4 A
電圧: -60 V
... DPAK パッケージの P チャネル MOSFET を必要とする回路での P チャネルのスイッチング、負荷スイッチング、基板レベルの電源管理に適しています。
技術仕様 / 仕様
- デバイスタイプ: P チャネル パワー MOSFET
- VDS (max): -60 V
- RDS(on) (max): 90 mΩ
- パッケージ: DPAK (TO-252)
- テクノロジー:
Infineon Technologies AG
電圧: -60 V
... およびアバ ランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特長 ほとんどの製品がAEC Q101に適合 広いRDS(on)範囲 ノーマル・レベルとロジック・レベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバ ランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コ ンシューマー ...
Infineon Technologies AG
電流: -6.5 A
電圧: -60 V
... スイッチングが可能で、アバ ランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバ ランシェ耐衝撃性 潜在的アプリケーション バッテリー 民生用 産業オートメーション 産業用 ドライブ ...
Infineon Technologies AG
電流: -3.2 A
電圧: -60 V
... インターフェース、高速スイッチング、およびアバ ランシェ耐性を備えているため、インフィニオンのOptiMOS™パワーMOSFETは、高品質が求められるアプリケーションに適しています。 特長 低オン抵抗 100% アバ ランシェ試験済み ロジックレベル 鉛フリーめっき、RoHS 準拠 産業用アプリケーション向け認定済み メリット MCUとの接続が容易 低負荷時の効率向上 高速スイッチング ...
Infineon Technologies AG
... スイッチング、およびアバ ランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特長 広いRDS(on)範囲 ロジックレベルで使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバ ランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コ ンシューマー 産業オートメーション 産業用 ドライブ ...
Infineon Technologies AG
電流: -100 A
電圧: -60 V
... 可能で、アバ ランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバ ランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コ ンシューマー 産業オートメーション 産業用 ドライブ ...
Infineon Technologies AG
電流: -0.29 A
電圧: -60 V
... 容易なインターフェース、高速スイッチング、およびアバ ランシェ耐性を備えているため、インフィニオンの OptiMOS™ パワーMOSFETは、高品質が求められる用途に適しています。 特長 100% アバ ランシェ試験済み ロジックレベル 鉛フリーめっき、RoHS準拠 産業用アプリケーション向け認定済み メリット MCUとの容易なインターフェース 低負荷時の効率向上 高速スイッチング ...
Infineon Technologies AG
電流: -0.55 A
電圧: -60 V
... およびアバ ランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが入手可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバ ランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コ ンシューマー 産業オートメーション 産業用 ドライブ ...
Infineon Technologies AG
電流: -3.2 A
電圧: -60 V
... インターフェース、高速スイッチング、およびアバ ランシェ耐性を備えているため、インフィニオンのOptiMOS™パワーMOSFETは、高品質が求められる用途に適しています。 特長 低オン抵抗 100% アバ ランシェ試験済み ロジックレベル 鉛フリーのリードメッキ、RoHS 準拠 産業用アプリケーション向け認定済み メリット MCU との容易なインターフェース 低負荷時の効率向上 ...
Infineon Technologies AG
電流: -22 A
電圧: -60 V
... スイッチングが可能で、アバ ランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバ ランシェ耐衝撃性 潜在的アプリケーション バッテリー 民生用 産業オートメーション 産業用 ドライブ ...
Infineon Technologies AG