- 電気・電子機器
- 電子部品
- MOSFETトランジスタ
- Infineon Technologies AG
MOSFETトランジスタ IPD900P06NM電源スイッチング大量
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特徴
- タイプ
- MOSFET
- 技術
- 電源, スイッチング
- その他の特徴
- 大量, 自動車工業用
- 電流
-16.4 A
- 電圧
-60 V
詳細
概要
主要な電気的パラメータ
製品識別子と分類
標準パッケージ情報
用途と位置付け
技術仕様 / 仕様
- IPD900P06NM は、スイッチングおよび電源管理用途向けに設計された P チャネルのパワー MOSFET です。
- テクノロジー: OptiMOS™
- 極性: P (P チャネル)
- 標準パッケージ: DPAK (TO-252)
主要な電気的パラメータ
- ドレイン-ソース間最大電圧 (VDS max): -60 V
- オン抵抗最大 (RDS(on) max): 90 mΩ
製品識別子と分類
- Manufacturer: Infineon Technologies
- メーカー型番 (MPN) / ISPN: IPD900P06NM
- 発注番号 (OPN): IPD900P06NMATMA1
- ISPN ID: 23206
- SP Number: SP004987258
- ファミリー: P-Channel
- 製品ステータス: active
標準パッケージ情報
- パッケージ: DPAK (TO-252)
用途と位置付け
- DPAK パッケージの P チャネル MOSFET を必要とする回路での P チャネルのスイッチング、負荷スイッチング、基板レベルの電源管理に適しています。
技術仕様 / 仕様
- デバイスタイプ: P チャネル パワー MOSFET
- VDS (max): -60 V
- RDS(on) (max): 90 mΩ
- パッケージ: DPAK (TO-252)
- テクノロジー: OptiMOS™
- 極性: P
カタログ
IPD900P06NM
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