オーディオトランジスタ

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC021N08NS5

電流: 100 A
電圧: 80 V

... インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS™ BiC MOSFETは、OptiMOS™ 3および5の製品ポートフォリオを拡張し、ロバスト性の向上に加え、より高い電力密度を可能にし、システムコストの低減と性能向上のニーズに応えます。 低逆回復電荷(Qrr)は、電圧オーバーシュートを大幅に低減することでシステムの信頼性を向上させ、スナバ回路の必要性を最小限に抑え、エンジニアリングコストと労力を削減します。 主な特長 最も低いRDS(on)により、最高の電力密度と効率を実現 175℃までの高い動作温度定格により信頼性が向上 低RthJCによる優れた熱挙動 低い逆回復電荷(Qrr) 主な利点 全負荷温度の低下 パラレリングの低減 オーバーシュートの低減 システム電力密度の向上 小型化 システムコストの削減 エンジニアリングコストと労力の削減 対象アプリケーション サーバー テレコム 電動工具 低電圧ドライブ クラスDオーディオ・アプリケーション ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC012N06NS

電流: 306 A
電圧: 60 V

... インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS™ BiC MOSFETは、OptiMOS™ 3および5の製品ポートフォリオを拡張し、ロバスト性の向上に加え、より高い電力密度を可能にし、システムコストの低減と性能向上のニーズに応えます。 低逆回復電荷(Qrr)は、電圧オーバーシュートを大幅に低減することでシステムの信頼性を向上させ、スナバ回路の必要性を最小限に抑え、エンジニアリングコストと労力を削減します。 主な特長 最も低いRDS(on)により、最高の電力密度と効率を実現 175℃までの高い動作温度定格により信頼性が向上 低RthJCによる優れた熱挙動 低い逆回復電荷(Qrr) 主な利点 全負荷温度の低下 パラレリングの低減 オーバーシュートの低減 システム電力密度の向上 小型化 システムコストの削減 エンジニアリングコストと労力の削減 対象アプリケーション サーバー テレコム 電動工具 低電圧ドライブ クラスDオーディオ・アプリケーション ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC220N20NSFD

電流: 52 A
電圧: 200 V

... インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS™ BiC MOSFETは、OptiMOS™ 3および5の製品ポートフォリオを拡張し、ロバスト性の向上に加え、より高い電力密度を可能にし、システムコストの低減と性能向上のニーズに応えます。 低逆回復電荷(Qrr)は、電圧オーバーシュートを大幅に低減することでシステムの信頼性を向上させ、スナバ回路の必要性を最小限に抑え、エンジニアリングコストと労力を削減します。 主な特長 最も低いRDS(on)により、最高の電力密度と効率を実現 175℃までの高い動作温度定格により信頼性が向上 低RthJCによる優れた熱挙動 低い逆回復電荷(Qrr) 主な利点 全負荷温度の低下 パラレリングの低減 オーバーシュートの低減 システム電力密度の向上 小型化 システムコストの削減 エンジニアリングコストと労力の削減 対象アプリケーション サーバー テレコム 電動工具 低電圧ドライブ クラスDオーディオ・アプリケーション ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15001G

電流: 15 A
電圧: 140 V

MJ15001/MJ15002 は、ハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワートランジスタです。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15003G

電流: 5 A
電圧: 50 V

MJ15003/MJ15004はハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー・トランジスタです。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15004G

電流: -5 A
電圧: 50 V

MJ15003/MJ15004はハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー・トランジスタです。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15015G

電圧: 60 V - 120 V

ハイパワー・オーディオやステッピング・モータなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたバイポーラ・パワー・トランジスタです。リレー/ソレノイド・ドライバ、DC-DCコンバータ、インバータなどの電源スイッチング回路や、2N3055よりも安全性の高い動作領域を必要とする誘導負荷にも使用できます。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15016G

電圧: 60 V - 120 V

ハイパワー・オーディオやステッピング・モータなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたバイポーラ・パワートランジスタです。リレー/ソレノイド・ドライバ、DC-DC コンバータ、インバータなどの電源スイッチング回路や、2N3055 よりも安全性の高い動作領域を必要とする誘導負荷にも使用できます。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15022G

電流: 2 A
電圧: 80 V

MJ15022/MJ15024 は、ハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワートランジスタです。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15023G

電流: 2 A
電圧: 80 V

MJ15023/MJ15025 は、ハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワートランジスタです。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15024G

電流: 2 A
電圧: 80 V

MJ15022/MJ15024はハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー・トランジスタです。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15025G

電流: 2 A
電圧: 80 V

MJ15023/MJ15025はハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー・トランジスタです。

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Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ21193G

電流: 2.5 A
電圧: 80 V

MJ21193/MJ21194 は、Perforated Emitter テクノロジーを活用しており、ハイパワー・オーディオ出力、ディスク・ヘッド・ポジショナ、リニア・アプリケーションに特化して設計されています。

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