オーディオトランジスタ

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC021N08NS5

電流: 100 A
電圧: 80 V

... インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS™ BiC MOSFETは、OptiMOS™ 3および5の製品ポートフォリオを拡張し、ロバスト性の向上に加え、より高い電力密度を可能にし、システムコストの低減と性能向上のニーズに応えます。 低逆回復電荷(Qrr)は、電圧オーバーシュートを大幅に低減することでシステムの信頼性を向上させ、スナバ回路の必要性を最小限に抑え、エンジニアリングコストと労力を削減します。 主な特長 最も低いRDS(on)により、最高の電力密度と効率を実現 175℃までの高い動作温度定格により信頼性が向上 低RthJCによる優れた熱挙動 低い逆回復電荷(Qrr) 主な利点 全負荷温度の低下 パラレリングの低減 オーバーシュートの低減 システム電力密度の向上 小型化 システムコストの削減 エンジニアリングコストと労力の削減 対象アプリケーション サーバー テレコム 電動工具 低電圧ドライブ クラスDオーディオ・アプリケーション ...

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Infineon Technologies AG
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC012N06NS

電流: 306 A
電圧: 60 V

... インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS™ BiC MOSFETは、OptiMOS™ 3および5の製品ポートフォリオを拡張し、ロバスト性の向上に加え、より高い電力密度を可能にし、システムコストの低減と性能向上のニーズに応えます。 低逆回復電荷(Qrr)は、電圧オーバーシュートを大幅に低減することでシステムの信頼性を向上させ、スナバ回路の必要性を最小限に抑え、エンジニアリングコストと労力を削減します。 主な特長 最も低いRDS(on)により、最高の電力密度と効率を実現 175℃までの高い動作温度定格により信頼性が向上 低RthJCによる優れた熱挙動 低い逆回復電荷(Qrr) 主な利点 全負荷温度の低下 パラレリングの低減 オーバーシュートの低減 システム電力密度の向上 小型化 システムコストの削減 エンジニアリングコストと労力の削減 対象アプリケーション サーバー テレコム 電動工具 低電圧ドライブ クラスDオーディオ・アプリケーション ...

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
ISC151N20NM6

電流: 74 A
電圧: 200 V

... ISC151N20NM6 OptiMOS™ 6 200 Vは、新たな技術基準を打ち立てています。この製品は、高電力密度、高効率、および高信頼性というニーズに応えます。 OptiMOS™ 6 200 V テクノロジーは、LEV、フォークリフト、ドローンなどのモーター駆動アプリケーションにおいて最適な性能を発揮するよう設計されています。 業界をリードするRDS(on)、スイッチング特性の向上、および電流分担の改善により、新しいOptiMOS™ 6は、より高い電力密度、並列接続数の削減、およびEMI特性の向上を実現します。 ...

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Infineon Technologies AG
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15001G

電流: 15 A
電圧: 140 V

MJ15001/MJ15002 は、ハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワートランジスタです。

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Onsemi
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15003G

電流: 5 A
電圧: 50 V

MJ15003/MJ15004はハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー・トランジスタです。

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Onsemi
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15004G

電流: -5 A
電圧: 50 V

MJ15003/MJ15004はハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー・トランジスタです。

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Onsemi
バイポーラ型トランジスタ
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MJ15015G

電流: 15 A
電圧: 60 V - 120 V

ハイパワー・オーディオやステッピング・モータなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたバイポーラ・パワー・トランジスタです。リレー/ソレノイド・ドライバ、DC-DCコンバータ、インバータなどの電源スイッチング回路や、2N3055よりも安全性の高い動作領域を必要とする誘導負荷にも使用できます。

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Onsemi
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15016G

電流: 15 A
電圧: 60 V - 120 V

ハイパワー・オーディオやステッピング・モータなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたバイポーラ・パワートランジスタです。リレー/ソレノイド・ドライバ、DC-DC コンバータ、インバータなどの電源スイッチング回路や、2N3055 よりも安全性の高い動作領域を必要とする誘導負荷にも使用できます。

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バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15022G

電流: 16 A
電圧: 200 V

MJ15022/MJ15024 は、ハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワートランジスタです。

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バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15023G

電流: 16 A
電圧: 200 V

MJ15023/MJ15025 は、ハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワートランジスタです。

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Onsemi
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15024G

電流: 16 A
電圧: 250 V

MJ15022/MJ15024はハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー・トランジスタです。

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バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ15025G

電流: 16 A
電圧: 250 V

MJ15023/MJ15025はハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー・トランジスタです。

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バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
MJ21193G

電流: 16 A
電圧: 250 V

MJ21193/MJ21194 は、Perforated Emitter テクノロジーを活用しており、ハイパワー・オーディオ出力、ディスク・ヘッド・ポジショナ、リニア・アプリケーションに特化して設計されています。

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