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電圧: 1,700, 2,500, 4,500 V
... 独自の薄ウエハー XPT™ 技術と最先端の IGBT プロセスを用いて開発されたこれらの機器は、より低い熱抵抗、低テール電流、低エネルギー損失、高速スイッチング機能などの特長があります。オン状態電圧の正温度係数により並列で使用できるこれらの高電圧 IGBT は、直列接続の低電圧機器よりもコスト効率に優れたソリューションを提供します。これにより、関連するゲート駆動回路の削減、設計の簡略化、そしてシステム全体の信頼性の向上に貢献します。 オプションとして、逆回復時間が短い高速回復ダイオードを同梱することができます。これは、スイッチング波形を滑らかにし、電磁妨害（EMI）を大幅に低減するよう最適化されています。 特長： 薄ウエハー ...
電流: 600 A
電圧: 1,200 V
... リテルヒューズの IGBT モジュールは、最新の IGBT 技術の優れた効率と高速のスイッチングを堅牢かつ柔軟なフォーマットで提供しています。電力制御アプリケーションでの使用に対し、リテルヒューズは、柔軟で効率的なモーター制御やインバータアプリケーションに適した各種 IGBT モジュールを提供しています。 回路設計者の厳格な性能基準を満たすため、標準のソリューションとカスタマイズソリューションの両方をご用意しています。 特長： トレンチゲート フィールドストップ IGBT ...
電流: 28 A
電圧: 650 V
... 小型フットプリントのTO-220パッケージを使用したハードスイッチングTRENCHSTOP™ 5 S5 IGBTは、スイッチング周波数10kHzから40 kHzのアプリケーションに対応し、高い電流密度、高効率、短時間での市場投入、回路設計の複雑さの軽減、PCBコストの最適化を実現しました。 特長 25°Cで1.35Vのきわめて低いVCEsat は、TRENCHSTOP™ 5 H5より20％低減 4倍のIcパルス電流（100°C Tc) テール電流の出ないソフト電流立下り特性 対称な低電圧オーバーシュート ゲート電圧を制御(無発振)。デバイスの不要に起動するリスクがなく、ゲートクランプ不要。 最大接合部温度 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 150 A - 3,600 A
電圧: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V
日立エナジーのIGBTパワーモジュールは、1700～6500Vの範囲で、シングル、デュアル/フェーズレグ、チョッパIGBT、デュアルダイオードモジュールとして利用できます。高出力HiPak IGBTモジュールは、ソフトスイッチ性能と記録的な安全動作領域（SOA）との組み合わせにより、低損失を実現しています。新たに導入された62PakおよびLoPak高速スイッチング中出力IGBTモジュールは、スイッチング損失が最も低く、フルスクエアSOAと標準パッケージを備えたフル175℃動作で、ドロップイン交換が可能です。
電流: 800 A
電圧: 1,200 V
... NXH800H120L7QDSGは定格ハーフブリッジIGBTパワーモジュールです。統合されたフィールド・ストップ・トレンチ7 IGBTとGen.7ダイオードにより、伝導損失とスイッチング損失が低減され、設計者は高効率と優れた信頼性を実現できます。 アプリケーション DC-AC変換 DC-DC変換 AC-DC変換 最終製品 エネルギー貯蔵システム ソーラー・インバータ モーター・ドライブ 無停電電源装置（UPS） 特徴 フィールド・ストップ・トレンチ7 IGBT & Gen.7ダイオード 2 ...
Onsemi/フェアチャイルド
電流: 8 A
電圧: 600 V
... このIGBTは先進のPowerMESH™プロセスを採用しており、スイッチング性能と低オンステート動作の優れたトレードオフを実現しています。 すべての特長 低オン電圧降下（VCE(sat) 非常にソフトな超高速回復反並列ダイオード CRES/CIES比が低い（相互伝導感受性がない） 短絡耐量10µs ...
STMicroelectronics
電流: 50 A
電圧: 650 V
RGWxx65Cシリーズは還流ダイオードにSiCショットキーバリアダイオードを採用して低損失化を実現した、650V耐圧のIGBTです。本製品は車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しています。xEVの車載充電器（オンボードチャージャー）やDC/DCコンバータ、太陽光発電のパワーコンディショナー、無停電電源装置（UPS）といった過酷な環境下でも安心して使用することができます。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 5, 20, 30, 50 A
電圧: 600 V
... Bourns® IGBTディスクリートBIDシリーズは、MOSゲートとバイポーラトランジスタの技術を組み合わせ、高電圧および大電流アプリケーションに最適なコンポーネントを実現します。このデバイスは、高度なトレンチゲート・フィールドストップ技術を使用しており、コレクタ・エミッタ飽和電圧（VCE(sat)）の低下とスイッチング損失の低減を実現しながら、ダイナミック特性の制御性を高めています。さらに、この構造によりデバイスのロバスト性が向上し、RTHが低くなります。Bourns® IGBTソリューションは、SMPS、UPS、PFCアプリケーションに適しています。 ...
... パワーIC用ソケット 標準タイプ シングルインライン ご注文方法 例PDSA-1076-Sxx-GG x:ポジション数 2～16 絶縁耐力 絶縁抵抗 使用温度 EX.)PDSA-1076-Sxx-GG x = ピン数 (2-16) ソケットピンの配置をカスタマイズすることで IPMやIGBTなどのパワー半導体の評価にも使用できます。 ケルビン測定が可能 配線仕様の選択が可能 高温環境に対応 位置決めボスの採用により、高い位置精度でレイアウト可能 ソケット上面から2.85mmのコンタクトにより、低インダクタンスでの測定が可能です。 基板実装強度はネジとナットで固定。 ...
JC CHERRY INC.
電流: 100 mA
電圧: 45, 30, 65 mV
... 代表的なアプリケーション 信号処理 スイッチング 増幅 商業用/工業用グレード サフィックス -Q：AEC-Q101 準拠 *) 接尾辞 -AQ: AEC-Q101 適合 *) 特徴 汎用 3つの電流ゲイングループ RoHS指令準拠（適用除外なし）、 REACH、紛争鉱物 *) ...
Diotec
電流: 150 A
電圧: 600 V
... IGBTモジュールAMM145GB066D AS ENERGITMは、IGBTモジュールSKM145GB066D SEMIKRON（SEMITRANSパッケージ）の代替品、アナログ品、代替品、同等品です。公称コレクタ電流ICnom - 150アンペア、連続コレクタ電流IC - 195アンペア、コレクタ・エミッタ間電圧VCES - 600V。スイッチ - ハーフブリッジ。IGBTモジュールは、標準的な産業用ケースに収納されているため、既存の機器への組み込みが容易です。IGBTモジュール（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、モータ用可変速ドライブ、ACインバータドライブ、UPS、電子溶接機、ブレーキチョッパ、無停電電源装置などの電力変換器のスイッチング素子として使用されます。利用可能なトポロジーには、ハーフブリッジ、シングルスイッチ、シックスパック、3レベルなどがあり、あらゆる応用分野をカバーしています。IGBTパワー・モジュールは、スイッチング、温度、重量、コストパフォーマンスを向上させることができるため、大電力アプリケーションに適したデバイスになりつつあります。IGBTモジュールSKM145GB066DおよびAMM145GB066Dの技術仕様、pdfデータシート、内部接続のトポロジー、外形図および寸法は以下のとおりです。弊社はIGBTモジュールの購入日から2年間の品質保証を提供します。IGBTモジュールを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。 ...
電流: 10, 25 A
電圧: 1,200 V
... 特長 • トレンチ + Filed Stop IGBTテクノロジー • 10ps 短絡機能 • 正の温度係数を備えたVersât) • 低インダクタンスケース • 高速 ＆ ソフトな逆回収防止 FWD • DBCテクノロジーを使用した絶縁銅ベースプレート 典型的な用途 • モータ用インバータ ドライブ • 空気状態 • 無停電電源装置 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
