IGBTトランジスタ RGA60TS65HR
絶縁ゲートバイポーラトランジスタートレンチIGBTフィールドストップIGBT

IGBTトランジスタ - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - 絶縁ゲートバイポーラトランジスター / トレンチIGBT / フィールドストップIGBT
IGBTトランジスタ - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - 絶縁ゲートバイポーラトランジスター / トレンチIGBT / フィールドストップIGBT
IGBTトランジスタ - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - 絶縁ゲートバイポーラトランジスター / トレンチIGBT / フィールドストップIGBT - 画像 - 2
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特徴

タイプ
IGBT, 絶縁ゲートバイポーラトランジスター, トレンチIGBT, フィールドストップIGBT
技術
電源, スイッチング
その他の特徴
シリコン, 自動車工業用
電流

34 A

電圧

650 V

詳細

製品概要
RGA60TS65HRは第4世代の650V耐圧Field-stop Trench型IGBTで、車載補機や産業用インバータ向けに最適化されています。プロセスおよびエッジターミネーションの見直しにより電流密度を向上させ、導通損失・スイッチング損失を低減しています。AEC-Q101に準拠し、Tj=25°C時で短絡耐量7 μsを確保しています。

製品概要(要旨)
低スイッチング損失・低導通損失を両立するIGBTで、電動コンプレッサやHVヒーター、産業用インバータに適しています。

用途例
  • 車載電動コンプレッサ
  • 車載HVヒーター(PTCヒーター、冷却液ヒーター)
  • 産業機器用インバータ


特長
  • AEC-Q101 準拠(車載グレード)
  • 短絡耐量(tsc):7 μs
  • 低コレクタ-エミッタ飽和電圧(低VCE(sat))
  • スイッチング損失および導通損失の低減
  • Pbフリーめっき、RoHS対応


仕様
  • 型番:RGA60TS65HRC11
  • シリーズ:A: For inverter (tsc 7-10 μs)
  • VCES(定格耐圧):650 V
  • IC(100°C):34 A
  • VCE(sat)(Typ.):1.55 V
  • tf(Typ.):82 ns
  • tsc(Min.):7 μs
  • Pd:170 W
  • BV(CES)(Min.):650 V
  • 保存温度:-55 ~ 175 °C
  • パッケージ:TO-247N
  • 包装形態:Tube
  • 標準出荷数量:450
  • 最小梱包数量:30
  • パッケージ寸法:21.0 x 16.0 mm (t = 5.2)
  • RoHS:Yes
  • 準拠規格:AEC-Q101(Automotive Grade)


梱包
パッケージはTO-247N、包装形態はチューブ。標準数量450個、最小梱包数量30個。取り扱いや熱設計については外形図・梱包図を参照してください。

開発背景
高電圧トラクション用インバータにSiCが採用される一方で、補機や中〜低出力用途では650V IGBTが広く使われています。本製品は高効率化・小型化・高短絡耐量の要求に応えるために開発されました。

カタログ

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見本市

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 11月 2026 Munich (ドイツ) ホール C3 - ブース 520

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