IGBTトランジスタ XPT™ series
電源

IGBTトランジスタ
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特徴

タイプ
IGBT
技術
電源
電圧

1,700 V, 2,500 V, 4,500 V

詳細

独自の薄ウエハー XPT™ 技術と最先端の IGBT プロセスを用いて開発されたこれらの機器は、より低い熱抵抗、低テール電流、低エネルギー損失、高速スイッチング機能などの特長があります。オン状態電圧の正温度係数により並列で使用できるこれらの高電圧 IGBT は、直列接続の低電圧機器よりもコスト効率に優れたソリューションを提供します。これにより、関連するゲート駆動回路の削減、設計の簡略化、そしてシステム全体の信頼性の向上に貢献します。 オプションとして、逆回復時間が短い高速回復ダイオードを同梱することができます。これは、スイッチング波形を滑らかにし、電磁妨害(EMI)を大幅に低減するよう最適化されています。 特長: 薄ウエハー XPT™ 技術 低オン状態電圧 VCE(sat) 同梱の高速回復ダイオード VCE(sat) の正温度係数 国際標準寸法の高圧パッケージ アプリケーション: パルサー回路 レーザーおよび X 線発生装置 高圧電源 高圧テスト装置 コンデンサ放電回路 AC スイッチ

見本市

この販売者が参加する展示会

Intersolar 2024
Intersolar 2024

18-21 6月 2024 Munich (ドイツ) ホール Vide - ブース B4.157

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    *価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。