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電流: -16.4 A
電圧: -60 V
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用途と位置付け
- DPAK パッケージの P チャネル MOSFET を必要とする回路での P チャネルのスイッチング、負荷スイッチング、基板レベルの電源管理に適しています。
技術仕様 / 仕様
- デバイスタイプ: P チャネル パワー MOSFET
- VDS
Infineon Technologies AG
電流: 40 A
電圧: 40 V
... 定格の OptiMOS 6 テクノロジを採用した N チャネル パワー
MOSFET です。SMPS、バッテリーチャージャー、ORing 用途向けに設計され、前世代比で RDS(on) を約30%低減しています。RoHS 準拠の製品です。
主な特長
- 定格電圧：40 V
- テクノロジ：OptiMOS 6
- デバイスタイプ：Nチャネル パワーMOSFET
- RDS(on)
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクション MOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクション MOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクション MOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG
電流: 20 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクション MOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG
電流: 18 A
電圧: 600 V
... 600V CoolMOS™ P7スーパージャンクション MOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 600V P7が優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現 使いやすさ 180mN以上のRDS(on) ...
Infineon Technologies AG
電流: 9 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクション MOSFETは、CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESDダイオード ...
Infineon Technologies AG
電流: 101 A
電圧: 600 V
... 600V CoolMOS™ P7スーパージャンクション MOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 600V P7が優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現 使いやすさ 180mN以上のRDS(on) ...
Infineon Technologies AG
電流: 101 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクション MOSFETは、CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESDダイオード ...
Infineon Technologies AG