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電圧: 60 V
... NPNエピタキシャルシリコン トランジスタ 応用例 本製品は汎用品であり、様々な用途に適しています。 ...
Onsemi
電流: 15 A
電圧: 60 V - 120 V
... ハイパワー・オーディオやステッピ ング・モータなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたバイポーラ・パワー・ トランジスタです。リレー/ソレノイド・ ドライバ、DC-DCコンバータ、インバータなどの電源 スイ ッチ ング回路や、2N3055よりも安全性の高い動作領域を必要とする誘導負荷にも使用できます。 ...
Onsemi
電流: 15 A
電圧: 60 V - 120 V
... ハイパワー・オーディオやステッピ ング・モータなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたバイポーラ・パワー トランジスタです。リレー/ソレノイド・ ドライバ、DC-DC コンバータ、インバータなどの電源 スイ ッチ ング回路や、2N3055 よりも安全性の高い動作領域を必要とする誘導負荷にも使用できます。 ...
Onsemi
電流: 10 A
電圧: 100 V
... このバイポーラ・パワー トランジスタは、マウント面がヒートシ ンクやシャーシから電気的に絶縁されている必要がある汎用アンプや スイ ッチ ングアプリケーション向けに設計されています。 ...
Onsemi
電流: 800 A
電圧: 1,200 V
... とGen.7ダイオードにより、伝導損失と スイ ッチ ング損失が低減され、設計者は高効率と優れた信頼性を実現できます。 アプリケーション DC-AC変換 DC-DC変換 AC-DC変換 最終製品 エネルギー貯蔵 システム ソーラー・インバータ モーター・ ドライブ 無停電電源装置（UPS） 特徴 フィールド・ストップ・トレンチ7 ...
Onsemi
電流: 800 A
電圧: 1,200 V
... フィールド・ストップ・トレンチ7 IGBTとGen.7ダイオードにより、伝導損失と スイ ッチ ング損失が低減され、設計者は高効率と優れた信頼性を実現できます。 アプリケーション DC-AC変換 DC-DC変換 AC-DC変換 最終製品 商業用農業車両（CAV） 特徴 フィールド・ストップ・トレンチ7 IGBT & Gen.7ダイオード 2 in 1ハーフブリッジ構成IGBTパワーモジュール 絶縁ベースプレート NTCサーミ スタ はんだ付け可能ピン 低誘導レイアウト ...
Onsemi
電流: 8 A
電圧: 600 V
... このIGBTは先進のPowerMESH™プロセスを採用しており、 スイ ッチ ング性能と低オンステート動作の優れたトレードオフを実現しています。 すべての特長 低オン電圧降下（VCE(sat) 非常にソフトな超高速回復反並列ダイオード CRES/CIES比が低い（相互伝導感受性がない） 短絡耐量10µs ...
STMicroelectronics
電流: 8 A
電圧: 600 V
... このIGBTは、先進のPowerMESH™プロセスを採用し、 スイ ッチ ング性能と低オンステート動作の間の優れたトレードオフを実現しています。 主な特長 低オン電圧降下(VCE(sat)) 非常にソフトな超高速回復反平行ダイオード CRES/CIES比が低い（交差伝導感受性がない） 短絡耐量10µs ...
STMicroelectronics
電流: 8 A
電圧: 600 V
... このIGBTは、先進のPowerMESH™プロセスを採用し、 スイ ッチ ング性能と低オンステート動作の間の優れたトレードオフを実現しています。 主な特長 低オン電圧降下(VCE(sat)) 非常にソフトな超高速回復反平行ダイオード CRES/CIES比が低い（交差伝導感受性がない） 短絡耐量10µs ...
STMicroelectronics
電流: 8 A
電圧: 600 V
... このIGBTは、先進のPowerMESH™プロセスを採用し、 スイ ッチ ング性能と低オンステート動作の間の優れたトレードオフを実現しています。 主な特長 低オン電圧降下(VCE(sat)) 非常にソフトな超高速回復反平行ダイオード CRES/CIES比が低い（交差伝導感受性がない） 短絡耐量10µs ...
STMicroelectronics
電流: 30 A
電圧: 600 V
... このIGBTは、先進のPowerMESHプロセスを採用し、 スイ ッチ ング性能と低オンステート動作の優れたトレードオフを実現しています。 主な特長 低オン電圧降下(VCE(sat)) 短絡耐量10μs 低Cres/Cies比（交差伝導感受性がない） IGBTと超高速フリーホイールダイオードを同時搭載 ...
STMicroelectronics
電流: 0.8 A
電圧: 50 V
... DC 電流ゲインhFE 最大.: 400 DC 電流ゲインhFE 最小: 160 説明: TO-92, 50V, 0.8A, NPNバイポーラ トラ ンジ スタ IC (A): 0.8 PD (W): 0.625 パッケージ: TO-92 極性: NPN ステータス: アクティブ TJマックス. (° C): 150 VCBO (V): 50 VCE (土). (V): 0.7 代表取締役社長 (V): ...
電圧: 20, 50 V
... NチャネルMOSFETおよびNPN トランジスタを1つのパッケージに搭載した 低オン抵抗 超低ゲートスレッショルド電圧、最大 1.0V 低入力容量 高速 スイ ッチ ング速度 低入出力リーク 超小型表面実装パッケージ リード、ハロゲンおよびアンチモンフリー、RoHS 準拠（注 2） ESD 最大 2kVの 「グリーン」デバイス（注 3）の保護 MOSFETゲート（ ...
Diodes Incorporated
電圧: 11 V
... RF スイ ッチ ングアプリケーション向けの3.2GHzユニティゲイン • 完全に鉛フリー ＆ 完全 RoHS 準拠（注 1 ＆ 2） • ハロゲンおよびアンチモンフリー。 「グリーン」デバイス（注 3） • 高信頼性のためのAEC-Q101 規格に適合 • PPAP 対応（注 4） アプリケーション • RF スイ ッチ ...
Diodes Incorporated
電圧: 50, 60, 7 V
... SemiconductorのCMKT3920（シ ングルNPN トランジスタ2個）は、省スペースSOT-363 ULTRAmini™パッケージのデュアル・コンビネーションで、小信号汎用アンプおよび スイ ッチ ング・アプリケーション向けに設計されています。 マーキ ングコードK20 特長 - 3920NPN トランジスタを2個搭載したULTRAmini™省スペースパッケージ 用途 - ...