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電流: -16.4 A
電圧: -60 V
...
用途と位置付け
- DPAK パッケージの P チャネル MOSFET を必要とする回路での P チャネルのスイッチング、負荷スイッチング、基板レベルの電源管理に適しています。
技術仕様 / 仕様
- デバイスタイプ:
Infineon Technologies AG
電流: 40 A
電圧: 40 V
... 用途向けに設計され、前世代比で RDS(on) を約30%低減しています。RoHS 準拠の製品です。
主な特長
- 定格電圧：40 V
- テクノロジ：OptiMOS 6
- デバイスタイプ：Nチャネル パワーMOSFET
- RDS(on) 改善：約30%低減（前世代比）
- 準拠：RoHS 準拠
識別情報と発注
- Infineon
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハード スイ ッチ ングと共振 スイ ッチ ングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハード スイ ッチ ングと共振 スイ ッチ ングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハード スイ ッチ ングと共振 スイ ッチ ングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 ...
Infineon Technologies AG
電流: 20 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハード スイ ッチ ングと共振 スイ ッチ ングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG
電流: 18 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハード スイ ッチ ングと共振 スイ ッチ ングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG
電流: 9 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハード スイ ッチ ングと共振 スイ ッチ ングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG
電流: 101 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハード スイ ッチ ングと共振 スイ ッチ ングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG
電流: 101 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハード スイ ッチ ングと共振 スイ ッチ ングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG