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電流: -16.4 A
電圧: -60 V
... スイッチングが可能で、アバランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 潜在的アプリケーション バッテリー 民生用 産業オートメーション 産業用ドライブ ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 40 A
電圧: 40 V
... 、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 - ハロゲンフリー MSL1定格 主な利点 最高のシステム効率 必要な並列数が少ない 電力密度の向上 非常に低い電圧オーバーシュート スナバ回路の必要性が減少 システムコストの削減 対象アプリケーション SMPS ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 20 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 18 A
電圧: 600 V
... 600V CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 600V P7が優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現 使いやすさ 180mN以上のRDS(on) ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 9 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESDダイオード ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 101 A
電圧: 600 V
... 600V CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 600V P7が優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現 使いやすさ 180mN以上のRDS(on) ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 101 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESDダイオード ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
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