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Phograinのチップフォトダイオードアレイ
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... 4X200Gbps 500μm ダイピッチ 1X4 アレイ 下面照射型PIN PD チップ 4X112GBaud アレイ800Gbps フォ トダ イオ ード チップは、 チップ底面にΦ80μmのレンズを内蔵した底面照射型メサ構造の高データレートPIN フォ トダ イオ ード チップです。その特徴は高く、低いキャパシタンス、低い暗電流および優秀な信頼性、単一モ ード繊維の波長の適用 ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... 8X112Gbps PAM4) アレイ受光 チップは、ト ップエントリーライトとメサ構造を持つ高速デジタルPIN受光 チップで、受光部サイズはΦ20μmです。高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性を特徴とし、波長1200nm~1600nmのシングルモ ード用4X112Gbps PAM4デジタル通信リンクに使用されています。 1.GSGボンドパッド構造、8X56GBaud アレイ。 2. ダイピッチ:500μm。 3. ...
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... 4X56GBaud アレイ400Gbps光検出 チップは、ト ップ入力光とメサ構造の高速デジタルPIN光検出 チップで、受光面積はΦ16μmである。本製品の主な特長は、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性であり、シングルモ ード1200nm~1600nmの波長50Gbps以上のデータレートの長波長光受信機に使用される。 1.GSGボンドパッド構造、4X56GBaud アレイ。 2. ダイピッチ:750μm。 3.低暗電流、高帯域幅 4.100%のテストと検査 5.優れた信頼性:すべての チップは、Telcordia-GR ...
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... 4X56GBaud Array 400Gbps フォ トダ イオ ード チップは、ト ップイルミネーションとメサ構造の高データレートデジタルPIN フォ トダ イオ ード チップであり、アクティブエリアサイズはΦ16μmです。その特長は、高容量、低暗電流、優れた信頼性、シングルモ ードファイバ波長1200nm~1600nmのアプリケーション、最大50Gbpsの長波長光レシーバの日付レートです。 1.アクティブエリアはΦ16μm。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X56GBaud アレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス ...
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... 4X56GBaud アレイ400Gbps光検出 チップは、ト ップ入力光とメサ構造の高速デジタルPIN光検出 チップで、受光面積はΦ22μmである。本製品の主な特長は、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性であり、シングルモ ード1200nm~1600nmの波長50Gbps以上のデータレートの長波長光受信機に使用される。 1.GSGボンドパッド構造、4X56GBaud アレイ。 2. ダイピッチ:500μm。 3.低暗電流、高帯域幅 4.全数検査 5.優れた信頼性:すべての チップは、Telcordia-GR ...
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... 4X56GBaud アレイ400Gbps フォトディテクタ チップは、ト ップライト入力とメサ構造を採用した高速デジタルPIN フォトディテクタ チップであり、受光面積はΦ24umである。本製品の主な特長は、高応答性、低容量、低暗電流、高信頼性です。本製品は、シングルモ ード910nm~1650nmの50Gbps以上のデータレートの長波長光受信機に適用される。 1.アクティブエリアΦ20μm。 2.GSG(Ground-Signal-Ground)ボンドパッド構造、4X25G アレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス ...
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... 4X25G アレイ100Gbps光検出 チップは、ト ップライト入力、メサ構造の高速デジタルPIN光検出 チップで、受光面積はΦ20um。高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性を主な特徴としています。主に4X25Gbps 4チャンネルTIAと組み合わせ、長距離、高速、シングルモ ード4x25Gbps光受信機に適用される。 1.アクティブエリアはΦ20μm。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X25G アレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス、高信頼性。 4.日付レート: ...
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... 高速4X10Gbps フォトディテクタ チップは、InGaAs/I InP PIN構造、フロントイルミネーション タイプで、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流が特徴です。受光面積は50μmで、PパッドとNパッドが上部に設計されており、はんだ配線の実装が容易です。主に4X10Gbps 4チャンネルTIAと組み合わせ、長距離、高速、シングルモ ードの4X10Gbps光受信機やデータ通信に使用されます。 1.アクティブエリアはΦ50μm。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X10Gbps ...
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... この4X25Gbps アレイ100Gbps フォ トダ イオ ード チップは、ト ップイルミネーションとメサ構造の高データレートデジタルPIN フォ トダ イオ ード チップであり、アクティブエリアサイズはΦ32μmです。主に高性能4X25Gbpsクワッドチャンネルトランスインピーダンスアンプ(TIA)と組み合わせ、長波長アプリケーション、シングルモ ードファイバ光レシーバで最大4X25Gbpsの高データレートを実現します。 1.アクティブエリアはΦ32μm。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X25G ...
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... 4X56Gbps PAM-4 フォ トダ イオ ード チップは、GaAs 上面照射型 1x4 アレイ PIN 構造です。高耐圧、低キャパシタンス、低暗電流を特長とし、アクティブエリアはΦ35μm、 チップ上面に信号用とグランド用のボンディングパッドが設計されており、ワイヤーボンディングが容易で、850nm ...
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