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... InP PINモニター用受光素子 チップです。アノードとカソードは前面にあり、 チップ側面の検出窓は120umX60umで、データセンターや通信用エッジエミッティングレーザーに適しています。980nm～1620nmの波長域で高い応答性を持ち、非密閉パッケージに適しています。 1.上面にPNボンドパッド 2.エッジ検出可能領域：120μmX60μm。 3.高信頼性、低暗電流。 4.100％のテストと検査。 5.非密封パッケージを満たす。 6.優れた信頼性：すべての チップは、Telcordia ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... 低動作バイアス電圧。 6. -40℃～85℃の動作範囲 7.優れた信頼性：すべての チップはTelcordia -GR-468-COREで規定された認定要件に合格しています。 8.100%の試験と検査 9.非密封パッケージを満足させる。 アプリケーション 1.バックファセットレーザー パワーモニター 2.FTTH デジタル光通信 3.光相互接続 ...
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... 120μmX60μm。 3.高信頼性、低暗電流。 4.低動作バイアス電圧。 5. -40℃〜85℃の動作範囲 6.優れた信頼性：すべての チップはTelcordia -GR-468-COREで規定された認定要件に合格しています。 7.100%の試験と検査 8. チップ寸法のカスタ マイズが可能です。 アプリケーション 1.バックファセットレーザー パワーモニタリング 2.FTTH デジタル光通信 3.光相互接続 ...
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... けプロセスに対応。 5.100%の検査とテスト。 6.非密封パッケージに対応。 7.優れた信頼性：すべての チップはTelcordia -GR-468-COREによって指定された資格要件に合格しています。 8.RoHS2.0（2011/65/EU）に準拠しています。 アプリケーション 1.バックファセットレーザー パワーモニター 2.FTTH デジタル光通信 3.光相互接続 ...
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... 光検出器 チップです。アノードが前面、カソードが背面にあり、 チップ側検出窓は120umX60umで、データセンターや通信用エッジエミッティングレーザーに適しています。980nm～1620nmの波長域で高い応答性を持ち、非気密パッケージに適している。 1.上にPボンドパッド、下にNボンドパッド 2.エッジ検出可能領域：120μmX60μm。 3.高信頼性、低暗電流。 4.共晶はんだ付けプロセスに対応。 5.100%の検査とテスト。 6.非密封パッケージに対応。 7.優れた信頼性：すべての チップは、Telcordia ...
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... この3.1Gbpsフォトダイオード チップは、InGaAs/InP PINプレーナ構造の上面入射型 デジタルフォトダイオード チップです。低暗電流、低キャパ シタンス、高応答性、高信頼性を特長としています。3.1Gbps以下の光レシーバやEPON ONUへの応用が可能です。 1.アクティブエリアΦ60μm 2.高い責任 3.低暗電流。 4.高い帯域幅。 5.優れた信頼性すべての チップは、Telcordia ...
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... この2.5Gbpsフォトダイオード チップは、InGaAs/InP PINプレーナ構造の上面入射型 デジタルフォトダイオード チップです。低暗電流、低キャパ シタンス、高応答性、高信頼性を特長としています。2.5Gbps以下の光レシーバやEPON ONUへの応用が可能です。 1.アクティブエリアΦ70μm 2.高い責任。 3.低暗電流。 4.優れた信頼性：すべての チップはTelcordia ...
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... この3GHzフォトダイオード チップは、InGaAs/InP PINプレーナ構造の上面入射型3GHz高応答 デジタル/アナログPD チップで、アクティブエリアはΦ70μmです。低暗電流、低キャパ シタンス、高応答性を特長とし、2次相互変調歪（IMD2）や複合3ビート歪（CTB）を低減し、優れた信頼性を実現しています。2.5Gbps以下の光受信機、EPON ONU、CATVアナログ光受信機への応用が可能です。 1.アクティブエリアΦ70μm。 2.高応答性、高線形性 3.低暗電流。 4.帯域幅: ...
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... この2.5Gbpsフォトダイオード チップは、InGaAs/InP PINプレーナ構造の上面入射型高応答性 デジタル/アナログPD チップで、アクティブエリアはΦ70μmです。低暗電流、低キャパ シタンス、高応答性を特長とし、2次相互変調歪(IMD2)やコンポジットトリプルビート歪(CTB)を低減し、優れた信頼性を実現しています。2.5Gbps以下の光受信機、EPON ONU、CATVアナログ光受信機への応用が可能です。 1.アクティブエリアΦ70μm。 2.高応答性、高リニアリティ 3.低暗電流。 4.2 ...
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... 2.5Gbpsフォトダイオード チップは、InGaAs/InPプレーナPIN構造、上面入射型 デジタル/アナログPD チップで、アクティブエリアはΦ70μmです。低暗電流、低キャパ シタンス、高応答性、低2次相互変調歪み(IMD2)および複合3ビート歪み(CTB)、優れた信頼性を特長としています。2.5Gbps以下のアナログレシーバやEPON ONUへの応用が可能です。 1.アクティブエリアΦ70μm。 2.低2次相互変調歪み(IMD2)とコンポジットトリプルビート歪み(CTB)。 3.高リニアリティと ...
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