ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のロームの小信号用トランジスタ

電流: -4 A
電圧: -20 V

RV5A040APはロードスイッチ用のMOSFETです。コンパクトなDFNパッケージにG-S保護ダイオードを内蔵しています。 特長: 低オン抵抗 -1.5V駆動 ゲート保護ダイオード内臓 Small DFNパッケージ 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

電流: 3 A
電圧: 80 V

RSQ030N08HZGはスイッチング用途に最適なMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載用の高信頼製品です。

電流: 4 A
電圧: 20 V

RUR040N02HZGはスイッチング用途に最適なMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載用の高信頼製品です。

電流: -3.5 A
電圧: -20 V

RTQ035P02HZGはスイッチング用途に最適なMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載用の高信頼製品です。

電流: 2 A
電圧: 45 V

... RTR020N05HZGは、スイッチング用途に最適な高信頼性の車載用MOSFETです。 低オン抵抗 G-S保護ダイオード内蔵 省スペース小型表面実装パッケージ(TSMT3) 鉛フリーリードメッキ、RoHS対応 AEC-Q101準拠 ...

電流: -2.5 A
電圧: -30 V

RSR025P03HZGはG-S保護ダイオード内蔵の車載グレードMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ゲート保護ダイオード内蔵 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 AEC-Q101準拠

電流: 2.5 A
電圧: 30 V

RTR025N03HZGはスイッチング用途に最適な車載対応の高信頼性MOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ゲート保護ダイオード内蔵 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 AEC-Q101準拠

電流: -5 A
電圧: -12 V

RQ6A050ZPは低オン抵抗でゲート保護ダイオード内蔵のスイッチング用MOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ゲート保護ダイオード内蔵 小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

電流: 3.5 A
電圧: 30 V

RQ6E035TNは低オン抵抗でゲート保護ダイオード内蔵のスイッチング用MOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ゲート保護ダイオード内蔵 小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠