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電流: -4 A
電圧: -20 V
RV5A040APはロードスイッチ用のMOSFETです。コンパクトなDFNパッケージにG-S保護ダイオードを内蔵しています。 特長: 低オン抵抗 -1.5V駆動 ゲート保護ダイオード内臓 Small DFNパッケージ 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 3 A
電圧: 80 V
RSQ030N08HZGはスイッチング用途に最適なMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載用の高信頼製品です。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 4 A
電圧: 20 V
RUR040N02HZGはスイッチング用途に最適なMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載用の高信頼製品です。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: -3.5 A
電圧: -20 V
RTQ035P02HZGはスイッチング用途に最適なMOSFETです。AEC-Q101に準拠した車載用の高信頼製品です。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 2 A
電圧: 45 V
... RTR020N05HZGは、スイッチング用途に最適な高信頼性の車載用MOSFETです。 低オン抵抗 G-S保護ダイオード内蔵 省スペース小型表面実装パッケージ(TSMT3) 鉛フリーリードメッキ、RoHS対応 AEC-Q101準拠 ...
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: -2.5 A
電圧: -30 V
RSR025P03HZGはG-S保護ダイオード内蔵の車載グレードMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ゲート保護ダイオード内蔵 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 AEC-Q101準拠
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 2.5 A
電圧: 30 V
RTR025N03HZGはスイッチング用途に最適な車載対応の高信頼性MOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ゲート保護ダイオード内蔵 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 AEC-Q101準拠
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: -5 A
電圧: -12 V
RQ6A050ZPは低オン抵抗でゲート保護ダイオード内蔵のスイッチング用MOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ゲート保護ダイオード内蔵 小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 3.5 A
電圧: 30 V
RQ6E035TNは低オン抵抗でゲート保護ダイオード内蔵のスイッチング用MOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ゲート保護ダイオード内蔵 小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電圧: 45 V
... 説明: セントラルセミコンダクタル BCX51、BCX52、BCX53は、 エピタキシャル平面プロセスで製造されたPNPシリコントランジスタで、表面実装パッケージでエポキシ成形され、大電流汎用アンプアプリケーション向けに設計されています。 ...
Central Semiconductor
電圧: 50 V
... 説明: セントラルセミコンダクターCMKT3920（2つのシングルNPNトランジスタ）は、 省スペースSOT-363 UltraMini™ パッケージのデュアルコンビネーションで、小信号汎用アンプおよびスイッチングアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード:K20 特徴: • UltraMini™ 省スペースパッケージ。2つの3920 NPNトランジスタを含む。 用途: • 負荷切替 • 小信号増幅 • ランプとリレードライバ ...
Central Semiconductor
電圧: 50 V
... 説明: 中央セミコンダクターCMPT5086、CMPT50 86B、およびCMPT5087は、 エピタキシャル平面プロセスで製造されたシリコンPNPトランジスタで、エポキシは 表面実装パッケージで成形され、 高ゲインと低ノイズを必要とするアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード：C2P： C2B：C2B ：C2Q ...
Central Semiconductor
電圧: 60 V
... 説明: セントラルセミコンダクターBCV47は、エピタキシャル平面プロセスで製造されたシリコンNPNダーリントントランジスタで、表面実装パッケージでエポキシ成形され、非常に高い利得を必要とするアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード:FG。 ...
Central Semiconductor
電流: 0.8 A
電圧: 50 V
... DC 電流ゲインhFE 最大.: 400 DC 電流ゲインhFE 最小: 160 説明: TO-92, 50V, 0.8A, NPNバイポーラトランジスタ IC (A): 0.8 PD (W): 0.625 パッケージ: TO-92 極性: NPN ステータス: アクティブ TJマックス. (° C): 150 VCBO (V): 50 VCE (土). (V): 0.7 代表取締役社長 (V): 45 ベボ (V): 5 ...
電圧: 50, 100 V
... FMMT413は、アバランシェ・モード動作に最適化されたNPNシリコン平面バイポーラ・トランジスタです。 厳密なプロセス制御と低インダクタンス・パッケージングを組み合わせることで、高速エッジを備えた高電流パルスを生成し、レーザ・ダイオード駆動に最適です。 特長と利点 • 雪崩モード動作 • 50Aピークアバランシェ電流 • 低インダクタンスパッケージ アプリケーション • レーザーLEDドライバ • 高速エッジ生成 • 高速パルス発生器 ...
Diodes Incorporated
電流: 0.5 A - 2 A
電圧: 30 V - 140 V
... 特長と利点 BVCEO >-60V ダーリントントランジスタhFE > 10k @ 100mA 高利得 IC =-500mA 高連続コレクタ電流 補完的ダーリントンPNPタイプ：BCV47 完全鉛フリー ＆ 完全 RoHS 準拠 ハロゲンおよびアンチモンフリー。 高信頼性 PPAP 対応のAEC-Q101 規格に準拠したグリーンデバイス ...
Diodes Incorporated
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