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電流: 25 mA
電圧: 13 V
... 特徴 - 絶縁型DC-DC電源内蔵、単一電源による 単一電源駆動トポロジー - 3750VACの高い絶縁電圧 - 入力信号の周波数は最大20kHz - フォールト回路内蔵，フォールトフィードバック端子付き - 遮断時間中は駆動信号を無視し，遮断時間終了後に故障 ブロッキング終了後にリセット - 故障検出回路の制御時間を調整可能 - 保護用ソフトカットオフ時間調整可能 - SIPパッケージ - EN62368承認 ...
電流: 3,000, 1,300, 2,000 A
電圧: 4,500, 5,200 V
... StakPakは、マルチデバイススタックでのチップ圧力の均一化を保証する先進のモジュール式ハウジングに収められた高出力絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）プレスパックおよびダイオードのファミリです。 IGBTの最も一般的なパッケージは絶縁モジュールですが、直列接続を必要とするアプリケーションでは、電気的・機械的に直列接続が容易で、ショート状態での導通が可能なため、プレスパックが好まれています（冗長性が要求される場合に不可欠な機能です）。IGBTには複数の並列チップが搭載されているため、従来 ...
電圧: 1,700, 2,500, 4,500 V
... 高速スイッチング機能などの特長があります。オン状態電圧の正温度係数により並列で使用できるこれらの高電圧 IGBT は、直列接続の低電圧機器よりもコスト効率に優れたソリューションを提供します。これにより、関連するゲート駆動回路の削減、設計の簡略化、そしてシステム全体の信頼性の向上に貢献します。 オプションとして、逆回復時間が短い高速回復ダイオードを同梱することができます。これは、スイッチング波形を滑らかにし、電磁妨害（EMI）を大幅に低減するよう最適化されています。 特長： ...
電流: 600 A
電圧: 1,200 V
... 回路設計者の厳格な性能基準を満たすため、標準のソリューションとカスタマイズソリューションの両方をご用意しています。 特長： トレンチゲート フィールドストップ IGBT 技術 低飽和電圧、正温度係数 高速切替、短いテール電流 フリーホイールダイオード、高速でソフトな逆回復 温度センサー内蔵 ...
東芝バイポーラートランジスターは、高周波用から電源用まで幅広い用途を網羅しており、多種多様なパッケージ展開により多彩な製品を展開しています。
電流: 28 A
電圧: 650 V
... 電流の出ないソフト電流立下り特性 対称な低電圧オーバーシュート ゲート電圧を制御(無発振)。デバイスの不要に起動するリスクがなく、ゲートクランプ不要。 最大接合部温度 Tvj = 175°C JEDEC規格による認証 利点 TO-220パッケージで高い電力密度 VCEpeakクランプ回路不要 ゲートクランピング用部品が不要 高いEMI特性 並列接続に適している アプリケーション エネルギー貯蔵システム 無停電電源（UPS）
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 150 A - 3,600 A
電圧: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V
日立エナジーのIGBTパワーモジュールは、1700～6500Vの範囲で、シングル、デュアル/フェーズレグ、チョッパIGBT、デュアルダイオードモジュールとして利用できます。高出力HiPak IGBTモジュールは、ソフトスイッチ性能と記録的な安全動作領域（SOA）との組み合わせにより、低損失を実現しています。新たに導入された62PakおよびLoPak高速スイッチング中出力IGBTモジュールは、スイッチング損失が最も低く、フルスクエアSOAと標準パッケージを備えたフル175℃動作で、ドロップイン交換が可能です。
電流: 15 A
電圧: 140 V
MJ15001/MJ15002 は、ハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワートランジスタです。
Fairchild Semiconductor/フェアチャイルド
電流: 20 A
電圧: 650 V
SCS220AE2HRはAEC-Q101に準拠した車載対応のSiCショットキーバリアダイオードです。スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。3pinパッケージ。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
... にするIPMファミリに属し、電源段（短絡堅牢 IGBTおよびフリーホイーリングダイオード）、駆動ネットワーク（ディスクリートゲート抵抗、高電圧ゲートドライバ、および統合された3つの主要なインバータブロックが組み込まれています ブートストラップ・ダイオード）および保護およびオプション機能（スマートシャットダウン機能、温度を制御するNTCセンサー、短絡と過電流の両方に対するフォルト保護用コンパレータ、高度な電流検出用オペアンプ）。 ...
STMicroelectronics
電圧: 60 V
... 説明: セントラルセミコンダクターBCV47は、エピタキシャル平面プロセスで製造されたシリコンNPNダーリントントランジスタで、表面実装パッケージでエポキシ成形され、非常に高い利得を必要とするアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード:FG。 ...
Central Semiconductor
電流: 0.8 A
電圧: 50 V
... DC 電流ゲインhFE 最大.: 400 DC 電流ゲインhFE 最小: 160 説明: TO-92, 50V, 0.8A, NPNバイポーラトランジスタ IC (A): 0.8 PD (W): 0.625 パッケージ: TO-92 極性: NPN ステータス: アクティブ TJマックス. (° ...
電流: 10 A - 1,600 A
電圧: 600 V - 1,700 V
... Greegooは、異なるトポロジー、電流および電圧定格のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）モジュールを提供しています。15Aから1600Aまで、電圧クラスは600Vから1700Vまで、IGBTモジュールは様々なアプリケーションで使用され、迅速かつ簡単に組み立てるための焼結、スプリングまたはプレスフィット接触などの主要技術を備えています。CIB（コンバーターインバーターブレーキ）、ハーフブリッジ、Hブリッジ、6パック、3レベルなどのさまざまなトポロジーがあり、ほぼすべての応用分野をカバーします ...
電圧: 20, 50 V
... NチャネルMOSFETおよびNPNトランジスタを1つのパッケージに搭載した 低オン抵抗 超低ゲートスレッショルド電圧、最大 1.0V 低入力容量 高速スイッチング速度 低入出力リーク 超小型表面実装パッケージ リード、ハロゲンおよびアンチモンフリー、RoHS 準拠（注 2） ESD 最大 2kVの 「グリーン」デバイス（注 3）の保護 MOSFETゲート（ 高信頼性のためのAEC-Q101 規格に適合） ...
Diodes Incorporated
電流: 25 mA
電圧: 20 V
... コレクタ・エミッタ電圧 - Vceo 20 V コレクタ直流電流 - Ic - 25 mA 極性 - pol - NPN 許容損失 - Ptot - 0.200 W ジャンクション温度 - Tjmax - 150 °C 直流電流利得 - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA コレクタ飽和電圧 - VcEsat - mV - Ic - mA - Ib - mA 利得帯域幅積 - ft - 450 MHz - Ic - 5 mA - VcE - 10V ...
Diotec
電流: 10, 25 A
電圧: 1,200 V
... IGBTテクノロジー • 10ps 短絡機能 • 正の温度係数を備えたVersât) • 低インダクタンスケース • 高速 ＆ ソフトな逆回収防止 FWD • DBCテクノロジーを使用した絶縁銅ベースプレート 典型的な用途 • モータ用インバータ ドライブ • 空気状態 • 無停電電源装置 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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