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... 次世代モバイル サムスンの驚くほど高速なモバイルデバイス向けLPDDR4Xイノベーションのための次世代レベルのスピードは、グローバルなモバイルDRAM 市場を動かし、よりスマートで独創的な可能性を推進しています。 スマートなデバイスをリードするシームレスなエクスペリエンスの加速バッテリ寿命の延長 ...
Samsung Semiconductor
... 次世代モバイル サムスンの驚くほど高速なモバイルデバイス向けLPDDR4Xイノベーションのための次世代レベルのスピードは、グローバルなモバイルDRAM 市場を動かし、よりスマートで独創的な可能性を推進しています。 スマートなデバイスをリードするシームレスなエクスペリエンスの加速バッテリ寿命の延長 ...
Samsung Semiconductor
1987年にNAND型フラッシュメモリが発明され、1991年に世界で初めて量産されて以降、メモリ素子配線幅の微細化により記憶容量を増やしてきました。しかし微細化によって引き起こされる様々な問題により、平面構造のNAND型フラッシュメモリでは更なる容量増に対する技術難易度が非常に高くなっています。 そこでこの問題を打破するため、フラッシュメモリの3次元積層構造が考案され2007年に世界で初めて公表注1、開発が進められ三次元フラッシュメモリ：BiCS FLASHが製品化されました。 ターゲットアプリケーション IoT時代の到来, ...
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