メモリ

... NANDタイプのフラッシュメモリは、メモリセル構造、セルサイズ、機能の変化を遂げており、容量の増加とコストの削減は、小型化を通じて急速に進んでいます。 ただし、世代 間の互換性を維持せずにフラッシュメモリ生成の変更が加速すると、NANDタイプのフラッシュメモリの調達が困難になり、 システムの導入やシステム設計を制限するリスクが大きくなることがあります。 TDK GBDriver RA6は、 既存のNANDタイプのフラッシュメモリのサポートを維持しながら、最新のフラッシュメモリ（TwoPlane-writeフラッシュメモリ）を制御することにより、これらのリスクを排除します。 ...

... STは、最先端プロセスの開発力をもち、製品の堅牢性および高い製造能力で認められた業界をリードするシリアルEEPROMのサプライヤです。世界中の販売代理店を通じて、短納期かつ柔軟な供給量に応じた流通の実現に努めています。STは、高い信頼性をもつSPI製品、I2C製品、およびMicrowire製品を、SO8NやTSSOP8、DFN2X3、DFN5、WLCSP、ベア･ダイなどのパッケージで提供しています。 STのEEPROMでは、過去14年以上にわたり業界をリードするEEPROMサプライヤ（IHS、2019年12月）としての豊富な専門性を活用するとともに、動作パラメータ、設定 ...

メモリ: 512, 256, 1 GB

... スマートフォンを超えるNANDストレージの新時代 次のフラッグシップストレージは今 (V7 NAND & New SOC) SK hynixのNANDフラッシュは、256GB、512GB、1TBの容量をラインナップし、スマートフォンユーザーの大容量メモリへの需要の高まりに対応します。 UFS4.0はJEDEC規格に準拠し、4D NANDと最新のコントローラーの組み合わせにより、UFS3.1の2倍の優れた性能を実現します。 また、電力効率に優れ、持続可能性にも貢献します。 2倍のパフォーマンス 最大4300MB/秒のシーケンシャルリードを可能にするUFS4.0は、UFS3.1の2倍の速度を提供します。 大容量、スリムなフォームファクター UFS4.0は、厚さ1.0mm、最大1TBの大容量ストレージを実現し、フラッグシップ・モバイル製品でシームレスなパフォーマンスを発揮します。 UFS4.0は、新しいモバイル機器の時代を切り開きます。 電力効率が30%向上 ...

メモリ: 8, 6, 5, 4, 2 GB

... DDCのDDR2 SDRAMは、スペースのための第一かつ唯一の密閉セラミックDDR2メモリであり、最大8ギガビットのメモリを搭載した高速動作を備えています。 オプションのRAD-PAK® シールドは、より大きな放射線曝露でミッションをサポートするために、より大きな総線量許容範囲を提供します。 20年以上前の創業以来、DDCの電子部品とシングルボードコンピュータは、宇宙での故障ゼロを経験してきました！ メリット 性能の向上 高速SDRAM（400MHz）により、メモリスループットを向上させ、アプリケーション効率を最大化 高信頼性 密閉セラミックCCGAパッケージにより、長期間の信頼性と設計の容易さを実現 オプションのDDC ...

... 1987年にNAND型フラッシュメモリが発明され、1991年に世界で初めて量産されて以降、メモリ素子配線幅の微細化により記憶容量を増やしてきました。しかし微細化によって引き起こされる様々な問題により、平面構造のNAND型フラッシュメモリでは更なる容量増に対する技術難易度が非常に高くなっています。 そこでこの問題を打破するため、フラッシュメモリの3次元積層構造が考案され2007年に世界で初めて公表注1、開発が進められ三次元フラッシュメモリ：BiCS FLASHが製品化されました。 ターゲットアプリケーション IoT時代の到来, ...