フラッシュメモリ UE400
NAND

フラッシュメモリ - UE400 - SK hynix - NAND
フラッシュメモリ - UE400 - SK hynix - NAND
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特徴

タイプ
フラッシュ, NAND
メモリ

1 GB, 256 GB, 512 GB

詳細

スマートフォンを超えるNANDストレージの新時代 次のフラッグシップストレージは今 (V7 NAND & New SOC) SK hynixのNANDフラッシュは、256GB、512GB、1TBの容量をラインナップし、スマートフォンユーザーの大容量メモリへの需要の高まりに対応します。 UFS4.0はJEDEC規格に準拠し、4D NANDと最新のコントローラーの組み合わせにより、UFS3.1の2倍の優れた性能を実現します。 また、電力効率に優れ、持続可能性にも貢献します。 2倍のパフォーマンス 最大4300MB/秒のシーケンシャルリードを可能にするUFS4.0は、UFS3.1の2倍の速度を提供します。 大容量、スリムなフォームファクター UFS4.0は、厚さ1.0mm、最大1TBの大容量ストレージを実現し、フラッグシップ・モバイル製品でシームレスなパフォーマンスを発揮します。 UFS4.0は、新しいモバイル機器の時代を切り開きます。 電力効率が30%向上

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。