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メモリ: 8, 16, 32 GB
... アペイサーのインダストリアルグレードDDR5 CUDIMMメモリモジュールは、EU RoHS指令の適用除外の必要性を排除し、環境コンプライアンスの新たな基準を設定する完全無鉛抵抗設計を採用した初の製品です。デュアルコア技術としてプレミアムプロフェッショナルグレードクロックドライバ(CKD)コンポーネントと過渡電圧サプレッサ(TVS)ダイオードを搭載した産業用メモリモジュールは、ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)や人工知能(AI)アプリケーション向けに特別に設計されています。 比類のない安定性と信頼性が要求される産業環境向けに、DDR5 ...
メモリ: 8, 16, 32 GB
... 比類のない安定性と信頼性が要求される産業環境向けに、DDR5 CSODIMMは産業グレードのプレミアムCKDコンポーネントを統合しています。これらのコンポーネントは、卓越した信号駆動とバッファリング機能を提供し、高速動作時のノイズとジッタを低減して、データ転送の精度とシステムの安定性を大幅に向上させます。先進的なTVS設計は、過渡電圧変動に対する堅牢な保護を提供し、モジュールと重要なシステム・コンポーネントの両方を保護します。これにより、DDR5 CUDIMMは、産業オートメーションのようなリスクの高いシナリオに特に適しています。 さらに、DRAM ...
メモリ: 1 MB
オン・セミコンダクターのシリアル SRAM ファミリには、内部的に 8 ビットで 128 K ワードとして編成されたこの 1Mb シリアル・アクセス静的ランダム・アクセス・メモリを含むいくつかの統合メモリ・デバイスが含まれています。これらのデバイスは、オン・セミコンダクターの高度な CMOS テクノロジを使用して設計および製造され、高速性能と低電力の両方を提供します。デバイスはシングルチップ・セレクト (CS) 入力で動作し、シンプルなシリアル・ペリフェラル・インタフェース (SPI) プロトコルを使用します。SPI ...
メモリ: 16, 128, 64 GB
... 放熱性を強化した高速DRAM 最速DRAMソリューション SK hynixの1nm 16Gb HBM2Eは、I/O速度3.6Gbpsの業界最速メモリで、1,024本のI/Oを使用して1秒間に460GBのデータを処理します。従来のHBM2よりも放熱性が36%向上した当社の新しいHBM2Eは、システムにとって堅牢な性能を備えた真に効率的なメモリです。 HBM性能の傾向 SK hynixは、さらに高速なHBMソリューションへの意欲をもってHBM市場をリードしています：開発中の当社のHBM3は、ピンあたり6.4Gbpsの速度で819GB/秒以上のデータ処理が可能になります。DDRやGDDRと同じ作業負荷に対して2倍以上の電力効率を持つHBMは、全体的なTCOを削減し、当社のMemory ...
メモリ: 8, 32, 4, 16 GB
DDR4 UDIMMはロープロファイル設計と3200MT/sの業界最高のメモリー速度を誇ります。あらゆる監視、自動化、組込みアプリケーションに適合します。モジュールは該当する全てのJEDEC規格に準拠しており、4GB/8GB/16/32GBの容量、および2133MT/s, 2400MT/s, 2666MT/s, and 2933 MT/sのデータ転送レートをご選択いただけます。
メモリ: 2, 4, 8 GB
... DDR3 SO-DIMM SDRAM モジュールは、高速 CMOS ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・モジュールで、内部で構成された 8 バンクの DDR3 SDRAM デバイスを使用します。DDR3 SDRAM モジュールは、高速動作を実現するために DDR アーキテクチャを使用しています。DDR3アーキテクチャは、基本的に8nプリフェッチ・アーキテクチャであり、1クロック・サイクルあたり2つのデータ・ワードをI/Oピンで転送するように設計されたインターフェースを備えています。DDR3 ...
KingSpec
メモリ: 4, 8, 16, 32, 128 GB
... ATPの第4世代の産業用DDRメモリは、最大2666MT / sのデータ転送速度とわずか1.2Vの消費電力を兼ね備え、従来のDRAMテクノロジよりも高速で高性能なパフォーマンスを実現します。 DDR3からの進化としてDDR4はオンライントラフィックの増加をサポートするために帯域幅機能を向上させるのに適した機能をサポートしています。 DDR4-2666 MT / sは、最新のインテル®Xeon®プラチナ、ゴールド、シルバーおよびブロンズ・スケーラブル・プロセッサーおよび第8世代インテル®Core™i7 ...