シリコンMOSFET

... 説明: セントラルセミコンダクタ CDM2205-800FPは、力率補正（PFC）、照明、パワーインバータなどの高電圧、高速スイッチングアプリケーション向けに設計された800ボルトのNチャネルMOSFETです。このMOSFETは、高電圧能力と低RDS（ON）、低スレッショルド電圧、および低ゲート電荷を組み合わせて、最適な効率を実現します。 マーキングコード:CDM05-800FP 用途: • 力率補正 • 代替エネルギーインバータ • ソリッドステート照明 ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 特徴 VDS=100V,ID=60A Rdson≦23mΩ @VGS=10V (Typ:18.0mΩ) 安全動作領域の拡大 低逆方向転送容量 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト アプリケーション -電源スイッチングアプリケーション -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 特徴 VDS=60V,ID=110A Rdson≦10mΩ @VGS=10V (Typ:7.0mΩ) 安全動作領域の拡大 低逆方向転送容量 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト アプリケーション -電源スイッチングアプリケーション -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 一般特性 -VDS=100V、ID=20A、Rdson≦70mΩ @VGS=10V (Typ:58mΩ) -安全動作領域の拡大 -低逆方向転送容量 -100%シングルパルスアバランシェエネルギー測定法 用途 -パワースイッチング用途 -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 特徴 VDS=200V、ID=30A Rdson≦75mΩ @VGS=10V (Typ:55mΩ) 広い安全動作領域 低逆方向転送容量 100%シングルパルスなだれエネルギー試験 アプリケーション -電源スイッチングアプリケーション -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 一般特性 -VDS=100V、ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ) -安全動作領域の拡大 -低逆方向転送容量 -100%シングルパルスなだれエネルギー試験 用途 -力の切換えの適用 -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETは、先進の6インチ技術により、極めて低い静電ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)を実現しています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性にも優れています。 特徴 VDS=100V、ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ) 広い安全動作領域 低逆方向転送容量 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト アプリケーション -電源スイッチングアプリケーション -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 特徴 VDS=60V,ID=45A Rdson≦25mΩ @VGS=10V (Typ:20mΩ) 安全動作領域の拡大 低逆方向転送容量 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト アプリケーション -電源スイッチングアプリケーション -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 特徴 VDS=60V,ID=50A Rdson≦21mΩ @VGS=10V (Typ:16mΩ) 広い安全動作領域 低逆方向転送容量 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト アプリケーション -電源スイッチングアプリケーション -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 特徴 VDS=60V,ID=70A Rdson≦15mΩ @VGS=10V (Typ:12.0mΩ) 安全動作領域の拡大 低逆方向転送容量 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト アプリケーション -電源スイッチングアプリケーション -DCモーター制御 - UPS ...

... 栄科実業（上海）有限公司のMOSFETです。6インチ技術により、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(on)が極めて小さくなっています。このため、使用時の消費電力が少なく、信頼性・耐久性に優れています。 特徴 VVDS=80V,ID=80A Rdson≦11mΩ @VGS=10V (Typ:9.0mΩ) 安全動作領域の拡大 低逆方向転送容量 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト アプリケーション -電源スイッチングアプリケーション -DCモーター制御 - UPS ...