MOSFET

東芝MOSFETは、12Vから300Vまでの幅広い耐圧ラインアップと超小型から大電流まで対応したパッケージ・バリエーションを展開しています。当社のMOSFETは、高速で低オン抵抗という特長を有し、さらに寄生スナバー回路を最適化することで低スパイク特性も実現しています。低ノイズと低スイッチング損失を実現した当社のMOSFETは、高効率が求められるサーバー用AC-DCスイッチング電源や基地局用DC-DCコンバーターに最適な製品を提供します。また、軽量・小型化が求められるスマートフォンやウェアラブルデバイス、ならびにIoT機器など様々な用途に最適な製品を提供します。

ロームの第4世代SiC MOSFET SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。 特長: - 低オン抵抗 - 高速スイッチングスピード - 高速リカバリー - 並列使用が容易 - シンプルな駆動回路 - Pbフリー対応済み、 RoHS準拠

... 説明: セントラルセミコンダクタ CDM22010-650は、力率補正（PFC）、照明、パワーインバータなどの高電圧、高速スイッチングアプリケーション向けに設計された大電流、650ボルトNチャネルパワーMOSFETです。このMOSFETは、高電圧能力と低RDS（ON）、低スレッショルド電圧、および低ゲート電荷を兼ね備えています。 マーキングコード:CDM10-650 用途: • 力率補正 • モータドライブ • 代替エネルギーインバータ ...

... RVS47N60PN/PTは、ロンテックモスの新プラットフォームにより製造されたNチャネルエンハンスメントモード高耐圧パワーMOSFETです。低導通損失と低スイッチング損失を実現しています。高効率、高電力密度、優れた熱挙動を持つパワーコンバータを設計することができます。さらに、ハードスイッチングとソフトスイッチングのトポロジーに対応したユニバーサルな製品です。 特長 * 47A, 600V, Ros(on)(typ.)=55mQ@VGS=10V。 * 革新的な高耐圧技術 * ...