抵抗トランジスタ

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSZ063N04LS6

電流: 40 A
電圧: 40 V

... クラス最高のRDS(on)と優れたスイッチング性能を兼ね備えたOptiMOS™ 6パワーMOSFET OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 40V ファミリーは、サーバー、デスクトップPC、ワイヤレス充電器、急速充電器、OR回路などのスイッチモード電源(SMPS)における同期整流など、さまざまなアプリケーションや回路向けに最適化されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSZ024N04LS6

電流: 130 A
電圧: 40 V

... OptiMOS™ 6 パワー MOSFET ファミリーは、サーバー、デスクトップ PC、ワイヤレス充電器、急速充電器、OR 回路のスイッチモード電源(SMPS)における同期整流など、さまざまな用途や回路向けに最適化されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC022N04LS6

電流: 139 A
電圧: 40 V

... OptiMOS™ 6 パワー MOSFET ファミリーは、サーバー、デスクトップ PC、ワイヤレス充電器、急速充電器、OR 回路のスイッチモード電源(SMPS)における同期整流など、さまざまな用途や回路向けに最適化されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSZ021N04LS6

電流: 147 A
電圧: 40 V

... OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 40V ファミリーは、サーバー、デスクトップPC、ワイヤレス充電器、急速充電器、OR回路などのスイッチモード電源(SMPS)における同期整流など、さまざまなアプリケーションや回路向けに最適化されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC010N04LS6

電流: 285 A
電圧: 40 V

... OptiMOS™ 6 パワー MOSFET ファミリーは、サーバー、デスクトップ PC、ワイヤレス充電器、急速充電器、OR 回路のスイッチモード電源(SMPS)における同期整流など、さまざまな用途や回路向けに最適化されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC007N04LS6

電流: 381 A
電圧: 40 V

... OptiMOS™ 6 パワー MOSFET ファミリーは、サーバー、デスクトップ PC、ワイヤレス充電器、急速充電器、OR 回路のスイッチモード電源(SMPS)における同期整流など、さまざまな用途や回路向けに最適化されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC059N04LS6

電流: 381 A
電圧: 40 V

... OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 40V ファミリーは、サーバー、デスクトップPC、ワイヤレス充電器、急速充電器、OR回路などのスイッチモード電源(SMPS)における同期整流など、さまざまなアプリケーションや回路向けに最適化されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電源トランジスタ
電源トランジスタ
PDHS545-NB195-S03-T3

電流: 5 A
電圧: 500 V

... パワートランジスタソケット 5.45mm/0.215インチピッチ 高温 低アウトガス 電気的、機械的性能に優れた高信頼性の丸型コンタクトです。パワートランジスタ用テストソケットは様々なパッケージに対応し、高温環境下での使用にも適しています。 対応パッケージ:TO-3、TO-247、TO-264など 絶縁体熱可塑性樹脂 コンタクト - 高温銅合金 スリーブ - 真鍮 ニッケル上に金めっき 定格電流 接触抵抗 絶縁耐力 (AC3000V max *) 絶縁抵抗 使用温度 ピッチ ...

電源トランジスタ
電源トランジスタ
PDSA-NB195-S0504-GG

電流: 5 A

... パワートランジスタソケット TO-247(4pin)用 高温用℃ 低アウトガス TO-247(4pin)パッケージに対応し、高温環境下でも使用可能なパワートランジスタ用テストソケットです。また、高信頼性の 丸接点 定格電流 接触抵抗 絶縁耐力 絶縁抵抗 使用温度 1:ドレイン 2:電源 3:ソース(信号) 4:ゲート * 製造の都合上、形状Aと形状Bが混在しているが、寸法は同じである。 ...

電源トランジスタ
電源トランジスタ
M-L245-BK-T30-P

電流: 5 A

... パワートランジスタテストソケット、カスタムピッチ 大電流 ピッチ 標準タイプ/スルーホールタイプ 低アウトガス 標準仕様に対応していないデバイスを評価しようとすると、多くの時間とコストがかかります。 しかし、当社では樹脂ハウジングをブランク(穴なし)として在庫しているため、コストダウン、納期短縮、小ロット対応が可能です。 樹脂ハウジングをブランク(穴なし)として在庫しています。 各種パッケージに対応し、高温環境にも対応します。 測定評価、検査、実装など様々な用途に使用できます。 接点部に信頼性の高い丸ピンソケットを採用しています。 定格電流 接触抵抗 絶縁抵抗 温度範囲 スリーブ ...

HEMTトランジスタ
HEMTトランジスタ
GNP1070TC-Z

電流: 20 A
電圧: 650 V

GNP1070TC-Zは650V GaN HEMTです。業界最高クラスのFOM(Ron*Ciss、Ron*Coss)を有し、低いオン抵抗と高速スイッチング性能を最大限生かすことで省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™シリーズの製品であり、ESD保護機能付きで高信頼性設計にも貢献します。また、大電流対応かつ放熱性にも優れる汎用性の高いDFNパッケージは、実装工程でのハンドリングを容易にします。

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ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
MOSFETトランジスタ モジュール
MOSFETトランジスタ モジュール
HP8KB6

電流: 24 A
電圧: 40 V

HP8KB6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省ス ペース鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

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ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
MOSFETトランジスタ モジュール
MOSFETトランジスタ モジュール
HP8KB7

電流: 24 A
電圧: 40 V

HP8KB7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省 スペース鉛フリー対応済み、RoHS 準拠ハロゲンフリー

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ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
MOSFETトランジスタ モジュール
MOSFETトランジスタ モジュール
HP8KC6

電流: 23 A
電圧: 60 V

HP8KC6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

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ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
MOSFETトランジスタ モジュール
MOSFETトランジスタ モジュール
HP8KC7

電流: 24 A
電圧: 60 V

HP8KC7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

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ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
50A02CH

電流: -0.5 A
電圧: -50 V

50A02CH は、低周波汎用アンプ・アプリケーション向けのバイポーラ・トランジスタ、-50V、-0.5A、低 VCE(sat)、PNP シングルです。

MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
L9338

電流: 0.4 A - 45 A
電圧: 36 V - 70 V

STは、VIPower(vertical intelligent power)技術に基づいたオートモーティブ・グレードの3ピンおよび5ピン・ローサイド・スイッチ(OMNIFET)を提供しています。この独自技術により、完全なデジタル / アナログ制御とバーティカル・パワーMOSFETの駆動回路、保護回路をすべて同じチップ上に集積できます。 保護機能を統合したローサイド・スイッチは、大電流を安全に扱うことができるパワー・スイッチで、過酷な車載環境に対応しています。必要とするものは、簡単なTTLロジック入力(5ピン・スイッチの場合はCMOSロジック入力)のみです。こうしたデバイスは、パワーMOSFETとのピン互換性を持ち、リアルタイムでの負荷制御を保証するだけでなく、過熱保護されているためボード全体を保護します。STの最新の5ピン・デバイスは診断機能も提供しています。 ...

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