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... このシリコンカーバイド (SiC) ショットキーダイオードシリーズは、逆回復電流が極めて小さく、高サージ対応、最大動作接合部温度 175°C で、 °効率、信頼性、熱管理の改善が必要なアプリケーションに最適です。 特長： • AEC-Q101 適合 • 安全な動作と簡単な並列接続を可能にする正温度係数 • 最高 175°C の動作接合部温度 • 優れたサージ性能 • 超高速、温度非依存のスイッチ挙動 • Si バイポーラダイオード比でスイッチングロスを大幅に低減 アプリケーション： • ...
DC電圧: 1.45 V - 2.2 V
逆電圧: 600 V - 1,200 V
... STのSiC（シリコン･カーバイド）ダイオードは、今日の厳しい省エネ規制（Energy Star / 80Plus / European Efficiency）に適合し、標準的なシリコン･ダイオードと比べて15%低い順電圧降下（VF）で4倍優れた動的特性を実現しています。 STのSiCダイオードはSTPOWERファミリの製品です。 SiCにより、太陽光発電用インバータやモータ駆動機器、無停電電源、電気自動車用回路の効率と堅牢性が大幅に向上します。 STは、600V～1200V定格でダイオード1素子入りおよび2素子入りの構成を、PowerFLATTM ...
DC電圧: 1.5 V - 3 V
逆電圧: 600, 1,250, 650 V
ルネサスのファストリカバリダイオードは、超高周波アプリケーションの整流用途において、迅速な回復時間を提供します。
逆電圧: 650 V
... スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。 特長: リカバリー時間が短い。特性の温度依存性が少ない。高速スイッチングが可能。高サージ電流耐量である。 ...
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
逆電圧: 650 V
... スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。 特長: リカバリー時間が短い。特性の温度依存性が少ない。高速スイッチングが可能。高サージ電流耐量である。 ...
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
逆電圧: 650 V
... スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。 特長: リカバリー時間が短い。特性の温度依存性が少ない。高速スイッチングが可能。高サージ電流耐量である。 ...
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
逆電圧: 650, 1,200 V
... 代表的なアプリケーション 高周波の整流 高効率スイッチングステージ 力率改善ダイオード インバータ用フリーホイールダイオード 商用/工業用グレード 接尾辞 -Q：AEC-Q101 準拠 ') 接尾辞-AQ：AEC-Q101適合 l) 特徴 低容量電荷 超高速スイッチング 高い逆電圧 高い電力損失 RoHS（適用除外7a）に準拠、 REACH、紛争鉱物） ...