ガリウムヒ素アンプ

周波: 2 GHz - 18 GHz

電圧: 1.9 V - 2.5 V
出力: 1 W
周波: 860 MHz - 960 MHz

... CMX90A003は、2段の完全整合MMIC PAで、860～960 MHzの周波数帯域で使用できる+29.5 dBmの飽和電力を供給します。 このデバイスは、1.9～2.5Vの低いコレクタ電圧での効率に最適化されており、スーパーキャパシタ・バックアップ・ストレージを使用するシステムに適しています。 CMX90A003は、使いやすさを考慮して高度に集積化されており、外付け部品数を最小限に抑え、基板面積を縮小しています。RF入出力マッチングは、アクティブ・バイアス回路と入力DCブロッキング・コンデンサと同様にオンチップで組み込まれています。 先進のGaAs ...

電圧: 1.4 V
電流: 400 mA

... 半導体光増幅器（ブースター光増幅器）は、半導体を用いて利得媒体を供給するアンプです。 ファブリー・ペロー・レーザ・ダイオードと同様の構造を持ちますが、端面には反射防止設計要素があります。 最近の設計には、反射防止コーティング、傾斜導波路および窓領域が含まれており、端面反射を0.001 ％ 未満に抑えることができます。 これにより、キャビティからゲインよりも大きな電力が失われるため、アンプがレーザーとして動作するのを防ぎます。 特長： • 1290nmで最大 25dBの高ゲイン • 超低リップル0.02dB（RMS） • ...

周波: 71 GHz - 86 GHz

... フィルトロニクスの Hades アクティブ・ダイプレクサーの製品群により、OEM（相手先商標製品製造会社）は E バンド無線のコストを削減しながら、RF 性能を大幅に向上させることができます。 当社のアクティブ・ダイプレクサは、Eバンド・ダイプレクサ内に設定可能な範囲のGaAs PAとLNAを組み込み、サイズと重量を削減しながら性能を最大化することができます。 アクティブダイプレクサは、市販のSMT対応パッケージGaAs/SiGeアップ/ダウンコンバータソリューションと組み合わせて使用することができ、表面実装製品よりも高い性能を得ることができます。これにより、お客様は無線機構を変更することなく、設定可能な「標準出力」と「高出力」のEバンドリンクを展開することができます。 アクティブダプレクサは、送信電力校正とALCを容易にするために、送信電力検出器を内蔵しています。指定された場合、モジュールは、Txディテクタ対周波数/電力およびRxゲイン情報を内蔵I2C ...

出力: 3,000 W
周波: 10 kHz - 100,000 kHz

... ETS-Lindgrens Model 8000-08 RFパワーアンプは3000Wのパワーアンプで、主にMIL-STD 461 RS103、200V/mを含むEMCアプリケーション用に設計されています。GaAs技術を利用したこのRFアンプは、シリコンベースのアンプに比べ、高い直線性、堅牢な設計、優れた効率性能を提供します。8000-008は、非常に低い歪みと100%のミスマッチに対する耐性を提供します。 主な特長 MIL-STD 461 RS103、200 V/m 高信頼性GaAs設計 優れた性能と効率 ...

電圧: 5 V
周波: 50 Hz

... GaAsベースの光ファイバ温度センサ用シングルチャネル、ハンドヘルド信号コンディショナ Pico M光ファイバアンプについて フル機能、プラグアンドプレイ、50Hzサンプリングレートを堅牢なパッケージで実施。 Pico Mは、GaAs OTG-Mシリーズ光ファイバ温度センサとともに使用される、コンパクトでポータブルな信号コンディショナーです。 Pico Mの中心には、半導体バンドギャップ（SCBG）技術があります。この技術は、GaAs結晶の温度依存のバンドギャップ位置を正確に測定するための平均を提供します。 ...