テレコミュニケーションネットワーク用ガス放電管

リテルヒューズ CG5 MS 小型サージアレスターは、電気機器および通信機器を表面実装組み立てアプリケーションにおける過電圧から保護する目的で設計されています。このシリーズは非放射性エレメントを用いた最新鋭の保護を提供します。 特長： RoHS 適合および鉛フリー GHz 動作周波数 多重パルスデューティサイクルでの優れた安定性 高速上昇トランジェントに対する優れたレスポンス。 極めて低い挿入損失 ...

電気通信機器の保護をサポート。リテルヒューズの GDT は、幅広い電圧範囲に対するサージ保護や低キャパシタンス、新しい表面実装デバイスを含む多くのフォームファクターを提供するため、多くの異なるアプリケーションや電力線のサージ保護に適しています。また、低キャパシタンスにより信号の歪みを軽減します。 特長： 高い精度、低い挿入損失 低キャパシタンスおよび挿入損失 アーク電圧が低いクローバーデバイス 高精度の放電開始電圧によるきわめて精密な設計 ...

最大放電電流: 500 A
始動電圧: 90 V - 240 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します。 過渡電圧の危険から機器や人体を保護します。 過電圧。 ...

最大放電電流: 2,000 A
始動電圧: 90 V - 600 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージに見舞われると GDTは高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出します。 サージエネルギーを放出し、回路の残留電圧を低下させます。 機器や人体を過渡過電圧の危険から保護します。 過渡過電圧の ...

最大放電電流: 5,000 A
始動電圧: 70 V - 800 V

... ガス放電管(GDT)は、ある割合の希ガス、または希ガスを充填した保護装置である。 ガス放電管（GDT）は、ある割合の希ガス、または混合ガスや他の放電媒体で満たされている保護装置です。 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極とメタライズド・セラミックスの間の空間に、ある割合の希ガスや混合ガス、その他の放電媒体を封入し を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップのスイッチ型保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します。 過渡電圧の危険から機器や人体を保護します。 過電圧。 ...

最大放電電流: 5,000 A
始動電圧: 75 V - 800 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します。 過電圧の危険から機器や人体を保護します。 過電圧。 ...

最大放電電流: 5 A
始動電圧: 75 V - 1,200 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します。 過電圧の危険から機器や人体を保護します。 過電圧。 ...

最大放電電流: 20,000 A
始動電圧: 70 V - 800 V

... ガス放電管(GDT)は、ある割合の希ガス、または希ガスを充填した保護装置である。 ガス放電管（GDT）は、ある割合の希ガス、または混合ガスや他の放電媒体で満たされている保護装置です。 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極とメタライズド・セラミックスの間の空間に、ある割合の希ガスや混合ガス、その他の放電媒体を封入し、高温で密封してシングルギャップまたはマルチギャップとする保護装置です、 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップのスイッチ型保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージに見舞われると GDTは高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出します。 サージエネルギーを放出し、回路の残留電圧を低下させます。 機器や人体を過渡過電圧の危険から保護します。 過渡過電圧の ...

最大放電電流: 20,000 A
始動電圧: 75 V - 800 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージに見舞われると GDTは高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出します。 サージエネルギーを放出し、回路の残留電圧を低下させます。 機器や人体を過渡過電圧の危険から保護します。 過渡過電圧の ...

最大放電電流: 10,000, 5,000 A
始動電圧: 70 V - 600 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージに見舞われると GDTは高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出します。 サージエネルギーを放出し、回路の残留電圧を低下させます。 機器や人体を過渡過電圧の危険から保護します。 過渡過電圧の ...

最大放電電流: 5,000, 10,000, 3,000 A
始動電圧: 75 V - 3,600 V

... ガス放電管(GDT)は、ある割合の希ガス、または希ガスを充填した保護装置である。 ガス放電管（GDT）は、ある割合の希ガス、または混合ガスや他の放電媒体で満たされている保護装置です。 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極とメタライズド・セラミックスの間の空間に、ある割合の希ガスや混合ガス、その他の放電媒体を封入し、高温で密封してシングルギャップまたはマルチギャップとする保護装置です、 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップのスイッチ型保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します。 過電圧の危険から機器や人体を保護します。 過電圧。 ...

最大放電電流: 5,000, 10,000, 20,000 A
始動電圧: 75 V - 3,600 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します。 過渡電圧の危険から機器や人体を保護します。 過電圧。 ...