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逆電圧: 50 V - 1,000 V
... 当社のブリッジ整流器のポートフォリオには、表面実装型とスルーホール型があります。高電力ブリッジ整流器は、高電流密度isoCink+TM PBおよびBUパッケージシリーズで定格電流10Aから45Aまで、低VFプレーナGen 2ダイ技術はGBUパッケージで産業用アプリケーションにご利用いただけます。 特長 UL認定、ファイル番号E54214 プリント回路基板に最適 典型的なIRは0.5 µA未満 用途 AC/DCブリッジ全波整流、電源、アダプター、充電器、コンシューマー用照明バラスター、家庭用電化製品などの汎用用途。 ...
DC電圧: 40 V - 100 V
逆電圧: 40 V - 100 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHDSH1-100は、低電圧全波整流アプリケーション用に設計された、耐久性のあるエポキシ表面実装モールドケースの全波ブリッジ整流器です。このデバイスに使用されているモールドコンパウンドはUL燃焼性分類94V-Oです。 マーキングコードCSH110 特徴 - 低リーク電流 (40nA TYP @ VRRM) - 低順電圧降下ショットキーダイオード - 高1.0A定格電流 用途 - LED照明用入力整流 - パワー・オーバー・イーサネット（PoE）周辺機器 - ...
Central Semiconductor
DC電圧: 200 V - 1,000 V
逆電圧: 200 V - 1,000 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRLD1シリーズは、薄型エポキシ表面実装モールドケースに実装された全波シリコンブリッジ整流器で、ガラスパッシベーションチップを使用しています。 マーキング：次ページのマーキングコード表を参照。 アプリケーション - ソリッド・ステート・ライティング (SSL) - 電源入力整流 - ステアリングダイオードアレイ 特徴 - 低リーク電流（10μA MAX @ VRRM） - 薄型ケース（1.45mm MAX） ...
Central Semiconductor
逆電圧: 100 V
... 単相ダイオードブリッジ整流器 AMB 25-01AS ENERGITMは、単相ダイオードブリッジSKB 25/01 07238680 Semikronの代替、アナログ、代替、等価半導体デバイスです。出力直流電流ID - 17アンペア、繰り返しピーク逆電圧VRRM - 100V。交流電流が回路の入力「～」に供給されます。その結果、出力「＋」と「-」では、入力電流の2倍の周波数で脈動する電流が得られます。単相ダイオードブリッジの特長：低オン状態損失、高逆電圧および高電流処理能力、絶縁金属ベースプレートおよびファストオン・コネクタ付き正方形プラスチックケース、容易なシャーシ取り付け、高サージ電流。主な用途は、電源用整流器、可変周波数ドライブ用入力整流器、直流モーターフィールド電源用整流器、バッテリー充電器整流器。単相ダイオードブリッジAS ...
逆電圧: 2 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 200, 125, 150, 100 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 10 kV - 30 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd