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... BBOベースのPockelsセルは、低損失、高い損傷閾値、広い吸収帯の利点を有し、高い繰り返し周波数および高出力レーザーシステムで広く使用される。 DH-EOBシリーズポッケルス細胞は2.8 以下であり、P3.8 以下である。 結晶の長さは最大 25mmにすることができます。 二重水晶直列接続により1/4波長電圧が低下します。 ...
波長: 532, 694, 1,064, 800 nm
... 経済的に価格 のコン パクトサイズ 400nmから1100nmまでの低吸収伝送アプリケーション：レーザー空洞ダンピングポケットセルのQスイッチングは、電圧が電気光学の電極に印加されたときにそれを通過する光の偏光状態を変更するために使用されます KD * Pなどの結晶を偏光器と組み合わせて使用すると、Pockelsセルは高速光スイッチとして使用できます。 典型的なアプリケーションには、レーザキャビティのQスイッチング、レーザキャビティダンピング、回生アンプとの間の光の結合などがあります。 ...
波長: 1,064 nm
... 特徴： 最小圧電リンギング 低吸収 セラミック開口は、 200nmから2000nm コンパクトサイズまで幅広い伝送範囲が利用可能です 用途： 高繰り返し速度 DPSS Q-スイッチ 高繰り返し速度回生アンプ制御 空洞ダンピング ビームチョッパー Pockelsセルは、BBOなどの電気光学結晶の電極に電圧が印加されたときにそれを通過する光の偏光状態を変化させるために使用されます。 偏光器と組み合わせて使用すると、Pockelsセルは高速光スイッチとして使用できます。 ...
... EO Q-スイッチは、デバイスを通過する光の偏光状態の変更を提供します。 印加された電圧が複屈折の変化を作動させるときに行われる。 偏光器を使用すると、光スイッチやレーザーQスイッチとして動作することができます。 さらに、KD * P 技術を実装し、良質な性能を提供します。 また、最大伝送（1064nmでT > 97 ％）と最大損傷閾値（> 500W/cm2）を備えた多数のレーザー波長を展示しています。 また、最大消光比（> 2000:1）のレーザー波長にも対応します。 ...
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