緩衝器回路用コンデンサ

静電容量: 20, 1, 0.5 µF
電圧: 500 V - 900 V

... アプリケーション • 900V 半導体モジュール用に設計 • パワーコンバータおよびインバータ • パワーコンバータおよびインバータ用DCリンク/スナバコンデンサ 特長 • 高リップル電流能力 • 低等価シリアルインダクタンス（ESL） • 低等価シリアル抵抗（ESR） • 低電力損失 • 低誘電吸収 • 最大で数 MHzまでの高周波向けに最適化 • 動作電圧までのDCバイアスで容量を増加 • 高容量密度 • 高温での誘電損失の最小化 • 高信頼性 • ...

静電容量: 0.33 µF - 6.8 µF
電圧: 700 V - 2,500 V

... 製品の特徴 IGBT 減衰吸収能力 -SNUT1 プロダクトは UPS、インバーター、電気溶接工、IGBT の高周波さざ波の吸収の保護、ピーク電圧クランプ、等のような電源、誘導加熱装置で広く利用されています。 一般的な技術パラメータ 参照規格: IEC 61071-2007 GB/T 17702-2013 誘電体：金属化ポリプロピレンフィルム 充填材：エポキシ樹脂 構造：非誘導性コイリング 性能パラメータ 容量範囲 0.33 μF～6.8 μF（25℃） ≪33μF～6.8μF 環境温度 -25℃～+85℃ 電圧の使用 700VDC~ ...

静電容量: 0 µF - 330 µF
電圧: 2.5 V - 3,150 V

最先端技術を導入して小型化、大容量化を志向した当社の主力商品です。 適用用途の詳細については、以下のリンクまたは仕様書等をご確認ください。 主な用途 - 1.定格電圧100V以下 高誘電率系・・・デカップリング・平滑回路用 温度補償用・・・同調回路・発振回路・高周波フィルタ回路用 2.定格電圧200V以上 高誘電率系・・・クランプスナバー回路、平滑回路用 温度補償用・・・電源ダンパースナバー

静電容量: 6.8 nF - 10,000 nF
電圧: 630 V - 4,000 V

... IGBTスナバ; 広くパワー電子機器で使用されるピーク電圧。ピーク電流吸収保護. プラスチック。エポキシ樹脂で密封; 錫メッキ銅インサートリード。IGBTのための簡単な取り付け; 高電圧に対する耐性。低温度上昇; 低 ESLおよびESR; 高 パルス電流。 ...

... ダンピングコンデンサは、半導体やIGBTトランジスタを保護するために設計された非常に機知に富んだデバイスです。 これらのデバイスは非常に高いレベルのピーク電流を伝導するため、常に充電および放電されます。 コンデンサは頑丈なプラスチックシリンダーにカプセル化され、PU 樹脂シールで固定されます。 これらは、MKPコーティングシステムに従って、金属で補強されたPPフィルムから構成されています。 これにより、コンデンサは直列抵抗と自己インダクタンスを最小限に抑えて非常に高い電流を伝導することができます。 ...

静電容量: 0.1 µF - 2.5 µF
電圧: 800 V - 3,000 V