ガス放電管
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... リテルヒューズ CG5 MS 小型サージアレスターは、電気機器および通信機器を表面実装組み立てアプリケーションにおける過電圧から保護する目的で設計されています。このシリーズは非放射性エレメントを用いた最新鋭の保護を提供します。 特長: • RoHS 適合および鉛フリー • GHz 動作周波数 • 多重パルスデューティサイクルでの優れた安定性 • 高速上昇トランジェントに対する優れたレスポンス。 • 極めて低い挿入損失 • IEC 61000-4-5 に規定される 8/20μS ...
... 電気通信機器の保護をサポート。リテルヒューズの GDT は、幅広い電圧範囲に対するサージ保護や低キャパシタンス、新しい表面実装デバイスを含む多くのフォームファクターを提供するため、多くの異なるアプリケーションや電力線のサージ保護に適しています。また、低キャパシタンスにより信号の歪みを軽減します。 特長: 高い精度、低い挿入損失 低キャパシタンスおよび挿入損失 アーク電圧が低いクローバーデバイス 高精度の放電開始電圧によるきわめて精密な設計 フェイルショート機構(オプション) RoHS ...
... スパイクガード ガスチューブプロテクター優れたVSWRと優れたRF 性能特性を備えたガスチューブ雷保護。最大 90WのRF 電力をN 個のメスコネクタで構成して、DCと7GHzの間で動作する機器に適しています。双方向 ...
PolyPhaser | Transtector
PolyPhaser | Transtector
... 広帯域 DCパスプロテクタ DC ~ 2.4GHzの周波数範囲の交換可能なガス管ユニット。 ...
PolyPhaser | Transtector
PolyPhaser | Transtector
... ガス放電管(GDT)は、金属電極と金属化セラミックスの間の空間に、ある割合の希ガス、または混合ガスや他の放電媒体を充填し、高温で密封してシングルギャップまたはマルチギャップスイッチタイプの保護装置を形成する保護装置です。保護回路や機器がサージに見舞われると、GDTは高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させ、過渡過電圧の危険から機器や人体を保護します。 SETsafe|SETfuseGDT製品は、電圧範囲70~4500V、サージ電流(@8/20μs)範囲0.5~200kA。信号、電源、各種ポートの過電圧保護に広く使用されています。安全規制認証にはUL、cUL、TUVが含まれ、RoHSおよびREACH要件にも適合しています。 高速応答 表面寿命にわたって安定した性能 高電流定格 低キャパシタンス 高い絶縁抵抗 RoHS ...
Xiamen SET electronics Co.,Ltd
最大放電電流: 20,000 A - 60,000 A
始動電圧: 350 V - 2,000 V
... ガス・ディスチャージ・チューブ(GDT)は、シングル・ギャップまたはマルチ・ギャップのスイッチング過電圧保護デバイスです。 スイッチング過電圧保護デバイスです。通常 には、GDT は高インピーダンス状態にあります; サージが発生すると、GDTはハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを大地に放出します。 サージエネルギーを大地に放出し、回路の残留電圧を低減します。 回路の残留電圧を低減し、機器回路を保護する。 回路を保護し、または人体を過渡過電圧の危険から保護します。 過渡過電圧から人体を保護します。GDTは、金属電極、メタライズドセラミックス、不活性ガスなどの高温封止によって形成される。 セラミック、不活性ガスまたはその他の混合ガスによる高温封止によって形成される。 特徴 高速応答 表面寿命にわたって安定した性能 高電流定格 低キャパシタンス 高い絶縁抵抗 RoHS ...
Xiamen SET electronics Co.,Ltd
... ガス・ディスチャージ・チューブ(GDT)は、シングル・ギャップまたはマルチ・ギャップのスイッチング過電圧保護デバイスです。 スイッチング過電圧保護デバイスです。通常 には、GDT は高インピーダンス状態にあります; サージが発生すると、GDTはハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを大地に放出します。 サージエネルギーを大地に放出し、回路の残留電圧を低減します。 回路の残留電圧を低減し、機器回路を保護する。 回路を保護し、または人体を過渡過電圧の危険から保護します。 過渡過電圧から人体を保護します。GDTは、金属電極、メタライズドセラミックス、不活性ガスなどの高温封止によって形成される。 セラミック、不活性ガスまたはその他の混合ガスによる高温封止によって形成される。 特徴 高速応答 表面寿命にわたって安定した性能 高電流定格 低キャパシタンス 高い絶縁抵抗 RoHS ...
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... ガス・ディスチャージ・チューブ(GDT)は、シングル・ギャップまたはマルチ・ギャップのスイッチング過電圧保護デバイスです。 スイッチング過電圧保護デバイスです。通常 には、GDT は高インピーダンス状態にあります; サージが発生すると、GDTはハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを大地に放出します。 サージエネルギーを大地に放出し、回路の残留電圧を低減します。 回路の残留電圧を低減し、機器回路を保護する。 回路を保護し、または人体を過渡過電圧の危険から保護します。 過渡過電圧から人体を保護します。GDTは、金属電極、メタライズドセラミックス、不活性ガスなどの高温封止によって形成される。 セラミック、不活性ガスまたはその他の混合ガスによる高温封止によって形成される。 特徴 高速応答 表面寿命にわたって安定した性能 高電流定格 低キャパシタンス 高い絶縁抵抗 RoHS ...
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... ガス・ディスチャージ・チューブ(GDT)は、シングル・ギャップまたはマルチ・ギャップのスイッチング過電圧保護デバイスです。 スイッチング過電圧保護デバイスです。通常 には、GDT は高インピーダンス状態にあります; サージが発生すると、GDTはハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを大地に放出します。 サージ・エネルギーを大地に放出し、回路の残留電圧を低減します。 回路の残留電圧を低減し、機器回路を保護する。 回路を保護し、または人体を過渡過電圧の危険から保護します。 過渡過電圧から人体を保護します。GDTは、金属電極、メタライズドセラミックス、不活性ガスなどの高温封止によって形成される。 セラミック、不活性ガスまたはその他の混合ガスによる高温封止によって形成される。 特徴 高速応答 表面寿命にわたって安定した性能 高電流定格 低キャパシタンス 高い絶縁抵抗 RoHS ...
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