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Tensão direta: 1,5 V - 3 V
Tensão inversa: 600, 1.250, 650 V
... Os díodos de recuperação rápida da Renesas oferecem tempos de recuperação rápidos para fins de retificação em aplicações de frequência muito elevada. ...
Tensão inversa: 650 V
... de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Tempo de recuperação mais curto Dependência reduzida da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Capacidade ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 600 V
... Descrição do produto Os díodos Qspeed™ têm o QRRR mais baixo de qualquer díodo Silicon. Suas características de recuperação aumentam a eficiência, reduzem a EMI e eliminam os snubbers. Destaques do Produto Funcionalidades Agora ...
Power Integrations
Tensão direta: 100 V - 1.000 V
Tensão inversa: 100 V - 1.000 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMR2U-01 série2.0 Amp de silício de montagem em superfície de recuperação ultra-rápida é um componente altamente fiável concebido para utilização em todos os tipos de aplicações comerciais, industriais, de entretenimento, ...
Tensão inversa: 85 V - 250 V
... sinais, Retificação, Comutação (de alta velocidade) Sufixo -C: Classe comercial Sem sufixo: Classe industrial Sufixo -Q: Compatível com AEC-Q101*) Sufixo -AQ: em conformidade com a norma AEC-Q101 x) Características Velocidade ...
Diotec
Tensão direta: 12 V
Tensão inversa: 12 kV
... protecção, etc. 2. Tamanho pequeno, fácil de instalar, adequado para produção automática. 3. Características de comutação de alta velocidade, ambientais de processos de proteção, em conformidade com as normas internacionais. ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
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