Díodos de alta velocidade

Tensão direta: 5,5 V - 200 V
Tensão inversa: 5,5 V - 200 V

... de capacitância por série: 0,6–10 pF ( Alta velocidade), 47–470 pF (Padrão), outros valores para a série LED e o kit ESD conforme indicado

Tensão direta: 1,5 V - 3 V
Tensão inversa: 600, 1.250, 650 V

... Os díodos de recuperação rápida da Renesas oferecem tempos de recuperação rápidos para fins de retificação em aplicações de frequência muito elevada. ...

Tensão inversa: 650 V

... de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Tempo de recuperação mais curto Dependência reduzida da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Capacidade ...

Tensão inversa: 600 V

... Descrição do produto Os díodos Qspeed™ têm o QRRR mais baixo de qualquer díodo Silicon. Suas características de recuperação aumentam a eficiência, reduzem a EMI e eliminam os snubbers. Destaques do Produto Funcionalidades Agora ...

Tensão direta: 100 V - 1.000 V
Tensão inversa: 100 V - 1.000 V

... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMR2U-01 série2.0 Amp de silício de montagem em superfície de recuperação ultra-rápida é um componente altamente fiável concebido para utilização em todos os tipos de aplicações comerciais, industriais, de entretenimento, ...

Tensão inversa: 85 V - 250 V

... sinais, Retificação, Comutação (de alta velocidade) Sufixo -C: Classe comercial Sem sufixo: Classe industrial Sufixo -Q: Compatível com AEC-Q101*) Sufixo -AQ: em conformidade com a norma AEC-Q101 x) Características Velocidade ...

Tensão direta: 12 V
Tensão inversa: 12 kV

... protecção, etc. 2. Tamanho pequeno, fácil de instalar, adequado para produção automática. 3. Características de comutação de alta velocidade, ambientais de processos de proteção, em conformidade com as normas internacionais. ...