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Tensão inversa: 1.200 V
... aplicações de
alta tensão
Aplicações
- Diode de clamp, snubber e freewheeling em fontes auxiliares flyback
- Funções de bootstrap e dessaturação para drivers HV MOSFET e IGBT
- Retificação
Tensão direta: 1,5 V - 3 V
Tensão inversa: 600, 1.250, 650 V
... Os díodos de recuperação rápida da Renesas oferecem tempos de recuperação rápidos para fins de retificação em aplicações de frequência muito elevada. ...
Tensão direta: 40 V - 900 V
Tensão inversa: 20 kV - 450 kV
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
... A família HSMS-286F de diodos detectores enviesados foi projetada e otimizada para uso de 915MHz a 5.8GHz. Eles são ideais para aplicações de tags RF/ID e RF, bem como para detecção de grandes sinais, modulação, conversão de RF ...
Tensão direta: 1,1 V
Tensão inversa: 1.600 V
... peculiaridade dos díodos é a sua rápida recuperação (tempo de recuperação inversa curto trr e pequena carga de recuperação) e a sua aplicação a altas frequências. Os díodos ...
Tensão direta: 24,5 V
Tensão inversa: 15 kV
... protecção, etc. 2. Tamanho pequeno, fácil de instalar, adequado para produção automática. 3. Características de comutação de alta velocidade, ambientais de processos de proteção, em conformidade com as normas internacionais. ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
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