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Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Tempo de recuperação mais curto Dependência reduzida da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Capacidade ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 600 V
... Descrição do produto Os díodos Qspeed™ têm o QRRR mais baixo de qualquer díodo Silicon. Suas características de recuperação aumentam a eficiência, reduzem a EMI e eliminam os snubbers. Destaques do Produto Funcionalidades Agora ...
Power Integrations
Diodes Incorporated
Tensão inversa: 70 V
... O CMDD6263 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um díodo Schottky de silício de alta tensão e baixo VF numa embalagem de montagem em superfície, concebido para aplicações de comutação rápida que requerem uma baixa queda de tensão ...
Central Semiconductor
Tensão direta: 1 V - 2,5 V
Tensão inversa: 75 V - 100 V
Tensão direta: 10 V - 45 V
Tensão inversa: 8 kV - 15 kV
... ※Features: Características de comutação de alta velocidade,TRR 50-150ns. Baixo vazamento, resistente a surtos, resistente a choques. Grandes características de proteção contra ruptura de tensão de avalanche. Alta resistência ...
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
... Funcionalidades A família MiniPak HMPS-282x de díodos Schottky é o dispositivo versátil mais consistente e melhor disponível e encontra aplicações em mistura, detecção, comutação, amostragem, fixação e modelagem de ondas ...
Broadcom
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