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Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Reduzida dependência da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Elevada capacidade de corrente de pico ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Reduzida dependência da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Elevada capacidade de corrente de pico ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Redução da dependência da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Elevada capacidade de corrente de pico ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 650 V
... 1. Aplicações - Correcção do Factor de Potência - Inversores Solares - Fontes de Alimentação Ininterrupta - Conversores DC-DC 2. Características (1) Design do chip de 2ª geração. (2) Capacidade de corrente de pico elevada : IFSM = 79A ...
Toshiba America Electronics Components
Tensão direta: 30 V - 200 V
Tensão inversa: 0,4 V - 0,9 V
... Apresentando um novo produto revolucionário. Os díodos para automóveis da ST são, de facto, um produto único. Ele é projetado para atender a inúmeras aplicações e conceitos de design. O Diodo é qualificado ...
STMicroelectronics
... Fairchild fornece-lhe rectificadores de ponte padrão da indústria, DIACs, díodos Schottky e rectificadores, pequenos díodos de sinal, supressores de tensão transiente e díodos Zener. ...
Fairchild Semiconductor
Tensão direta: 1,5 V - 3 V
Tensão inversa: 360 V - 1.250 V
... Os díodos Renesas são engenheirados e fabricados de forma inventiva para suportar o desempenho ideal de dispositivos móveis leves e menores. Estes díodos também são apropriados para o fornecimento de ...
Tensão inversa: 20 V - 2.000 V
... campanha de miniaturização, surgiu uma nova geração de Díodos de Chip da Bourns que oferece a capacidade de fornecer um diodo de silício com o mínimo de sobrecarga de embalagem. Os pequenos diodos ...
Tensão inversa: 200 V - 1.000 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMMR1 Série de Retificadores de Alta Densidade de Corrente, em uma SOD-123F de montagem em superfície são projetados para todos os tipos de computadores comerciais, industriais e automotivos aplicações. ...
Central Semiconductor
Tensão direta: 0,38 V - 0,95 V
Tensão inversa: 20 V - 200 V
Frontier Electronics, Corp.
Broadcom
Tensão direta: 5, 20, 12, 7 V
... Características Rápida ativação Baixa tensão de aperto Alta tensão resistente a ESD Proteção uni ou bidirecional Pequeno pacote Resistente à chama epóxi UL94 V-0 Aplicações Fonte de alimentação DC Fornecimento de energia USB (PD) Fones ...
Tensão direta: 5, 3,3 V
... Características Baixa tensão de aperto Design robusto Muito baixa capacitância Flow Thru Design para um layout simples Proteção de trilho a trilho Resistente à chama epóxi UL94-V0 RoHS, REACH e livre de halogéneos Aplicações Linhas de ...
Tensão direta: 1,8 V - 200 V
ON Semiconductor
Tensão direta: 21 V
Tensão inversa: 10 kV
... Características do Produto 1. Baixo vazamento, resistência ao impacto, avaria por avalanche protecção, etc. 2. Tamanho pequeno, fácil de instalar, adequado para produção automática. 3. Características de comutação de alta velocidade, ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensão inversa: 200, 1.600 V
... Funcionalidades Pastilhas de vidro passivadas Alta capacidade de surtos Tensão de isolamento até 1600V Versão de cátodo e ânodo de ilha Ampla faixa de corrente Em conformidade com a RoHS Aplicações Carregador de bateria Conversor Fontes ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
Diodes Incorporated
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