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Filtros ópticos para objetivas
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... O filtro óptico IR-CUT é feito de vidro óptico ou B270 e revestido com um revestimento óptico de corte e ou revestimento anti-reflexo. Ele permite que a luz visível passe através e corte ...
... Substrato: silício, safira, etc. Comprimento de onda central: 4260±30nm Largura máxima à metade da largura máxima: 180±20nm Pico de Transmitância (Tp): ≥80% Comprimento de onda cortado: de UV a 11um Bloqueio: Tavg≤1% Tamanho: 2,9-150mm (personalizado) Qualidade ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... -16um (personalizado) Filtro LWP - Filtro de Passe de Onda Longa Filtro WBP - Filtro de Passe de Banda Larga Filtro NBP - Filtro de passagem de banda ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... 2.9-14,5um AR Substrato: silício, germânio, selenieto de zinco, sulfureto de zinco, fluoreto de cálcio, fluoreto de bário, vidro calcogenetado, etc. Transmitância: 2.9-8um, T≥90%; 8-14.5um, T≥90% Tamanho: 2,9-150mm (personalizado) Qualidade da superfície: ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... Substrato: silício, germânio, etc. Comprimento de onda central: 5100±30nm Largura máxima à metade da largura máxima: 90±10nm Transmitância de Pico (Tp): ≥60% Comprimento de onda cortado: de UV a 16um Bloqueio: Tavg≤1% Tamanho: 2,9-150mm (personalizado) Qualidade ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... 8-14um AR Substrato: silício, germânio, selenieto de zinco, sulfureto de zinco, fluoreto de cálcio, fluoreto de bário, vidro calcogenetado, etc. Transmitância: 8-14um, Tavg≥88% Tamanho: 2,9-150mm (personalizado) Qualidade da superfície: 40-20 ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... Substrato: silício, safira, etc. Comprimento de onda central: 3300±30nm Largura máxima à metade da largura máxima: 120±20nm Pico de Transmitância (Tp): ≥85% Comprimento de onda cortado: de UV a 11um Bloqueio: Tavg≤1% Tamanho: 2,9-150mm (personalizado) Qualidade ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... Substrato: silício, safira, etc. Comprimento de onda central: 3350±30nm Largura máxima à metade da largura máxima: 200±20nm Pico de Transmitância (Tp): ≥85% Comprimento de onda cortado: de UV a 11um Bloqueio: Tavg≤1% Tamanho: 2,9-150mm (personalizado) Qualidade ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... Substrato: silício, safira, etc. Comprimento de onda central: 3400±30nm Largura máxima à metade da largura máxima: 120-150nm Transmitância de Pico (Tp): ≥70% Comprimento de onda cortado: de UV a 15um Bloqueio: Tavg≤1% Tamanho: 2,9-150mm (personalizado) Qualidade ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... Substrato: silício, germânio, etc. Comprimento de onda central: 5300±50nm Largura máxima à metade da largura máxima: 600±40nm Pico de Transmitância (Tp): ≥80% Comprimento de onda cortado: de UV a 11um Bloqueio: Tavg≤1% Tamanho: 2,9-150mm (personalizado) Qualidade ...
Shenzhen MemsFrontier Electronics Co., Ltd.
... Substrato: silício, germânio, fluoreto de cálcio, etc. Comprimento de onda central: 13400±50nm Largura máxima à metade da largura máxima: 1000±60nm Pico de Transmitância (Tp): ≥80% Comprimento de onda cortado: de UV a 15um Bloqueio: Tavg≤1% Tamanho: 2,9-150mm ...
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