Laser para espectrometria de massa

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laser Q switch
laser Q switch
PND-M00210-1xx

Potência: 0,001, 2.000 W
Comprimento de onda: 213 nm

... O PND-M00210 é o mais recente laser da série PowerChip™ de microchip laser comutado passivamente Q; transmite luz a 213 nm através de uma quinta conversão harmónica avançada da fase de 1064 nm. Taxa de repetição até 1 ...

laser de nanossegundos
laser de nanossegundos
FTSS355-Q3

Potência: 0,015 W
Comprimento de onda: 355 nm

... FTSS355-Q3 - Laser de 355 nm com 15 µJ, máx. 2.5 kHz Os lasers CryLaS da série Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Consiste ...

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CryLaS Crystal Laser Systems GmbH
laser de nanossegundos
laser de nanossegundos
FTSS355-Q2

Potência: 0,003 W
Comprimento de onda: 355 nm

... FTSS355-Q2 - Laser de 355 nm com 3 µJ a 10 kHz Os lasers CryLaS da série Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Consiste num ...

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laser de nanossegundos
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FQSS266-Q4

Potência: 0,012 W
Comprimento de onda: 266 nm

... FQSS266-Q4 - Laser de 266 nm com 12 µJ a 1 kHz Os lasers CryLaS da série Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Consiste num ...

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laser de nanossegundos
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FQSS213-Q3

Potência: 0,004 W
Comprimento de onda: 213 nm

... FQSS213-Q3 - Laser de 213 nm com 1,5 µJ, máx. 2,5 kHz Os lasers da série CryLaS Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Este ...

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laser de nanossegundos
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FQSS266-Q1

Potência: 0,004 W
Comprimento de onda: 266 nm

... FQSS266-Q1 - Laser de 266 nm com 0,3 µJ a 20 kHz Os lasers CryLaS da série Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Consiste num ...

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laser de nanossegundos
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FDSS532-Q4

Potência: 0,04 W
Comprimento de onda: 532 nm

... FDSS532-Q4 - Laser de 532 nm com 42 µJ a 1 kHz Os lasers CryLaS da série Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Consiste num ...

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laser de nanossegundos
laser de nanossegundos
FQSS213-Q4

Potência: 0,001 W
Comprimento de onda: 213 nm

... FQSS213-Q4 - Laser de 213 nm com 2,5 µJ a 1 kHz Os lasers da série CryLaS Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Este consiste ...

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laser de nanossegundos
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FQSS213-Q1

Potência: 0,001 W
Comprimento de onda: 213 nm

... FQSS213-Q1 - Laser de 213 nm com 0,05 µJ a 20 kHz Os lasers da série CryLaS Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Este consiste ...

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laser de nanossegundos
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FQSS266-Q3

Potência: 0,004 W
Comprimento de onda: 266 nm

... FQSS266-Q3 - Laser de 266 nm com 4 µJ, máx. 2.5 kHz Os lasers CryLaS da série Q são lasers de estado sólido bombeados por díodo ( lasers DPSS) baseados num design de microchip. Consiste ...

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laser de nanossegundos
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eMOPA213-20

Potência: 0,02 W
Comprimento de onda: 213 nm

... eMOPA213-20 - Laser DUV pulsado de 20 mW a 213 nm A série de produtos eMOPA baseia-se num laser de estado sólido passivamente Q-switched com bomba de díodo como oscilador principal e num amplificador de potência com bomba ...

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laser bombeada por díodo
laser bombeada por díodo
Centurion +

Comprimento de onda: 266, 355, 532, 1.064 nm

... O Centurion + é um laser de diodo bombeado, resfriado a ar, que fornece 50 mJ de energia em pulsos de nanossegundos com taxas de repetição de até 100 Hz. O bombeamento de diodo elimina a necessidade de água, reduz o tamanho, melhora a ...

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