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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Tensão direta: 150 V
Tensão inversa: 150 V
... O RB058L150DD é o Díodo de Barreira Schottky Automóvel de elevada fiabilidade, adequado para retificação geral. Características: Alta fiabilidade Tipo de molde de pequena potência IR super baixo ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 600 V - 1.800 V
... Os módulos de díodos MDC26-18-215F3 caracterizam-se por uma elevada capacidade de ciclo elétrico e térmico, o que significa uma elevada fiabilidade e uma longa vida útil em modos de funcionamento intensivo. Os módulos ...
AS ENERGI GLOBAL LLC
Tensão inversa: 1.600, 1.200 V
... isolamento até 2500V Chips passivados em vidro 2 díodos independentes numa única embalagem Em conformidade com a RoHS Concebidos e qualificados para o nível industrial Aplicações Aquecimento indutivo e fusão Díodo ...
Tensão direta: 12 V
Tensão inversa: 10 kV
... Características do Produto 1. baixo vazamento, baixa potência, alta capacidade de pico. 2. Tempo de resposta rápido e eficiente. 3. Tj Faixa de Temperatura da Junção de Operação -40~+175 . 4. Proteção contra avalanche reversa. 5. Tecnologia de passivação ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensão direta: 0,9 V
Tensão inversa: 300 V
... DESCRIÇÃO GERAL RFR60F30APN é um Diodo de Recuperação Ultra-rápido, fabricado com tecnologia epitaxial plana de silício avançada. O parâmetro de processo e a estrutura do dispositivo são ajustados com o desempenho otimizado da queda de ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensão direta: 0 V - 1,1 V
Tensão inversa: 1.000 V
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