Testador potência M2 Turret Edition

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Visão geral
Plataforma de testador de nova geração para produtos de potência wide bandgap. Projetada para produção de alto rendimento com handlers rotativos e transportadores, mede parâmetros estáticos, desempenho de comutação dinâmico, qualidade de die-attach térmico, métricas de óxido de gate e realiza testes de estresse como avalanche e curto-circuito usando geradores de teste modulares de alto desempenho.

Benefícios principais

• Máximo rendimento: UPH até mais de 15.000 dispositivos por hora (teste turret index-parallel).
• Suporte amplo de dispositivos: SiC, GaN e Si, incluindo MOSFETs, IGBTs, JFETs, dispositivos bipolares e diodos.
• Pronto para produção: interfaces para handlers rotativos e transportadores com arquitetura modular e expansível.

Apresentação do produto / capacidades
M2 Turret Edition integra geradores de teste ultra-rápidos e software otimizado para dividir planos de teste entre múltiplos geradores e alcançar a máxima velocidade. O sistema foi projetado para operação 24/7 em produção de alto volume e oferece opções modulares para adicionar módulos AC dynamic switch (Quasar, Pulsar), módulos paramétricos DC e módulos QA/térmicos.

CARACTERÍSTICAS / CONFIGURAÇÕES (resumo)
Variantes: Turret | Turret Pro | Turret Pulsar | Turret Pulsar Pro
Número de sites de teste: 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, FB, UIS, QA station | 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, FB, UIS, QA station
Desempenho AC dinâmico de comutação: M2 DS5 Quasar até 2 kA curto-circuito | M2 DS5 Quasar até 2 kA curto-circuito | M2 DS6 Pulsar até 7,5 kA curto-circuito | M2 DS6 Pulsar até 7,5 kA curto-circuito
Teste paramétrico DC: 3 kV 200 A (integrado) | 3 kV 200 A (integrado) | 3 kV 600 A (integrado) — expansível para 1.000 A | 3 kV 600 A (integrado) — expansível para 1.000 A

Áreas de aplicação
Testes elétricos de alto rendimento em etapas de produção: KGD, discretos encapsulados e módulos; adequado para wafer probe, teste em tira de discretos e teste final na fabricação de dispositivos de potência.

Especificações técnicas

• Plataforma: M2 modular e expansível, otimizada para testes elétricos ultra-rápidos.
• Rendimento: UPH até mais de 15.000 dispositivos por hora (abordagem index-parallel).
• Tecnologias suportadas: SiC, GaN, Si.
• Tipos de teste: paramétricos estáticos, testes paramétricos DC, comutação AC dinâmica, die-attach térmico (deltaVSD), resistência e capacitância de gate, testes de avalanche e curto-circuito, testes UIS/body-diode.
• Capacidade DC paramétrica: integrado até 3 kV; 200 A padrão em algumas variantes; variantes Pulsar: 3 kV 600 A integrado, expansível para 1.000 A.
• Comutação AC dinâmica: Quasar (DS5) até 2 kA; Pulsar (DS6) até 7,5 kA em curto-circuito.
• Teste de die-attach térmico: M1 FB deltaVSD 1 kW, até 300 V / 100 A (disponível em variantes Pro / Pulsar Pro).
• UIS avalanche: 2,3 kV, 200 A carga indutiva não limitada (variantes Pro / Pulsar Pro).
• Sites concorrentes: de 4 a 6 conforme variante; opções RG, Quasar/Pulsar AC, FB, UIS e estações QA configuráveis.
• Integração: projetado para operação 24/7, robusto e preciso; interfaces para handlers rotativos e transportadores.