Testador de corrente de fuga FTI-1000 Lab

de tensãode alta tensãopara componentes eletrônicos

Visão geral O FTI-1000 Lab é uma plataforma de caracterização exclusivamente DC para dispositivos de potência média em silício (Si) e wide-bandgap (GaN). Fornece estímulo DC programável até 1,2 kV e 100 A, permitindo a extração precisa de parâmetros elétricos estáticos e o traçado IV em alta resolução. A configuração Lab utiliza instrumentação DC dedicada — módulos fonte de alta tensão e alta corrente, medição em nanoampères e polarização flexível — para suportar uma ampla gama de varreduras IV e testes paramétricos sem a complexidade AC ou de comutação dinâmica. O FTI Studio oferece uma interface intuitiva para configuração rápida, captura de forma de onda, plotagem schmoo e criação de programas de teste.

Aplicações

• Laboratórios de P&D
• Qualificação de dispositivos
• Fluxos de validação e caracterização em engenharia

Capacidades chave e otimizações

• Estímulo DC programável até 1,2 kV e 100 A
• Otimizado para medições de fuga em alta tensão, breakdown, tensão limiar e resistência em condução (Rds(on))
• Fornecimento DC estável e repetível com controlo de medição preciso
• Arquitetura modular e escalável com reduzida pegada de laboratório
• Suporta uma ampla gama de encapsulamentos discretos e engenharia de dispositivos wide-bandgap

Especificações tabulares Número de locais de teste: 1
Teste paramétrico DC: Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, BVdss, etc.
Qualidade de die-attach térmico: dVsd/Vgs
Dimensões D×W×H: 541 mm × 345 mm × 206 mm (Fonte de alimentação: 345 mm × 176 mm × 103 mm)
Canais digitais: Opção para 8 canais digitais independentes (IC Channel Board)
Tensão fonte DC: 1,2 kV
Faixa de acionamento de corrente (HV): 25 mA (específico do módulo)
Corrente máxima: 100 A
Resistências de gate: 0, 10, 25, 50 Ω, além de resistências plugáveis pelo utilizador

Software O FTI Studio fornece uma interface intuitiva para configuração rápida, captura de formas de onda, plotagem schmoo e criação de programas de teste, permitindo transição rápida do bring-up do dispositivo para caracterização completa.

Especificações técnicas

• Número de locais de teste: 1
• Testes paramétricos DC suportados: Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, BVdss e medições IV/paramétricas semelhantes
• Métrica de qualidade de die-attach térmico: dVsd/Vgs
• Dimensões: 541 mm × 345 mm × 206 mm
• Dimensões da unidade de alimentação: 345 mm × 176 mm × 103 mm
• Tensão DC máxima: 1,2 kV
• Faixa de acionamento de corrente HV (módulo específico): 25 mA
• Capacidade máxima de corrente: 100 A
• Canais digitais: opcional 8 canais digitais independentes (IC Channel Board)
• Opções de resistência de gate: 0, 10, 25, 50 Ω mais resistências plugáveis pelo utilizador
• Arquitetura: configuração modular e escalável otimizada para laboratório
• Dispositivos alvo: dispositivos Si de potência média e dispositivos wide-bandgap (GaN)
• Funcionalidades de software: captura de forma de onda, plotagem schmoo, criação de programas de teste, configuração rápida