Sonda de resistência |Z| Probe® Power

de reflexão

A procura de acesso a conteúdos ricos em qualquer parte do mundo está a impulsionar o crescimento da transmissão sem fios de informação. Isto aumenta a necessidade de dispositivos de energia RF em sistemas sem fios e novas tecnologias, tais como GaN e SiC. Isto, por sua vez, requer a caracterização destas novas tecnologias a nível de wafer, o que reduz significativamente o tempo necessário para desenvolver novos modelos. Estes modelos são utilizados em novos modelos de dispositivos, que são depois implementados em sistemas de transmissão sem fios (estações de base, satélites, etc.) para satisfazer as exigências do consumidor faminto de conteúdo. Para fornecer uma caracterização altamente precisa dos dispositivos de potência RF ao nível das bolachas, a tecnologia |Z| Probe® Power, baseada em tecnologia comprovada |Z| Probe, lida com alta potência a altas frequências (até 40 GHz). O |Z| Probe Power fornece excelente repetibilidade de contacto e resistência de contacto extremamente baixa para fornecer resultados precisos em configurações de medição de carga-puxa, típicas para caracterização de dispositivos de potência RF. Uma vez que a perda de inserção deve ser mantida a um nível baixo nas medições de carga-puxa-carga e de ruído para garantir um elevado coeficiente de reflexão (Γ), |Z| Probe Power foi concebido para proporcionar uma perda de inserção extremamente baixa. Isto significa que se obtêm medições mais precisas, especialmente em impedâncias não-50 Ω.