Características da máquina- Pulsos sub-nanosegundo (0,1–0,2 ns, personalizável); qualidade de feixe próxima ao limite de difração (M2 ≤1,5); energia máxima por pulso 0,8 mJ
- Configuração óptica totalmente em fibra que fornece saída estável (estabilidade de potência ≤3 % em 24 h) e desempenho de usinagem aprimorado para semicondutores e indústria fotovoltaica
- Taxa de repetição ajustável 100–2000 kHz e faixa de ajuste de potência 0–100 % para flexibilidade do processo
- Formato compacto, resposta rápida (<100 μs) e parâmetros de feixe controlados (tamanho do ponto 3,0±0,2 mm, elipticidade típ. 92 %)
Aplicações- Corte, perfuração e ranhuração de vidro, silício e cerâmica
- Padronização de filmes finos e microestruturação de metais e revestimentos
- Marcação permanente em vidro, silício, cerâmica, metais e plásticos
Ficha técnicaModelo da máquina: Infrared Sub-nanosecond Laser NPFL-80IR-1.01
Modo de operação: Pulsado
Potência média (W): 80
Comprimento de onda central (nm): 1064
Largura de linha espectral (nm): <30; largura 3 dB
Taxa de repetição (kHz): 100-2000; ajustável
Largura do pulso (ns): 0,1-0,2 ns; personalizável
Energia máxima por pulso (mJ): 0,8
Faixa de ajuste de potência (%): 0-100
Tempo de resposta (μs): <100
Qualidade do feixe (M2): ≤1,5
Estabilidade de potência (%): ≤3 %; 24 h
Tamanho do ponto (mm): 3,0±0,2; 1/e2
Elipticidade do feixe (%): >90; típ. 92 %
Deslocamento do feixe (mm): <1,0
Ângulo de divergência do feixe (mrad): <0,5
Especificações técnicas- Modelo: NPFL-80IR-1.01
- Modo: Pulsado
- Potência média: 80 W
- Comprimento de onda: 1064 nm
- Largura de linha espectral: <30 nm (3 dB)
- Taxa de repetição: 100–2000 kHz (ajustável)
- Largura do pulso: 0,1–0,2 ns (personalizável)
- Energia máxima por pulso: 0,8 mJ
- Ajuste de potência: 0–100 %
- Tempo de resposta: <100 μs
- Qualidade do feixe (M2): ≤1,5
- Estabilidade de potência: ≤3 % (24 h)
- Tamanho do ponto: 3,0 ±0,2 mm (1/e2)
- Elipticidade: >90 % (típ. 92 %)
- Deslocamento do feixe: <1,0 mm
- Ângulo de divergência: <0,5 mrad