Detector derivação de silício Vortex®-EM

de raios XdigitalCMOS

Os detectores de raios X de desvio de silício Vortex-EM apresentam áreas activas entre 30 mm2 e 80 mm2. Os detectores Vortex-EM são produzidos a partir de silício de elevada pureza, utilizando tecnologia de produção CMOS de última geração. Apresentam uma excelente resolução energética (<130 eV FWHM a Mn Kα é típico) e uma elevada capacidade de taxa de contagem. A 0,1 µs PT com uma taxa de contagem de saída de 900 kcps é alcançada. Uma caraterística única destes detectores é a sua capacidade de processar taxas de contagem elevadas com uma perda muito pequena na resolução de energia e um desvio mínimo do pico com a taxa de contagem. - Espectroscopia de fluorescência de raios X (XRF) em massa e microfluorescência - Micro-análise para SEM e TEM - Aplicações de radiação sincrotrónica - Emissão de raios X induzida por partículas (PIXE) - Mapeamento rápido de raios X O Vortex-EM funciona a uma temperatura próxima da ambiente e é arrefecido por um refrigerador termoelétrico (TEC), podendo ser submetido a ciclos tão frequentes quanto necessário sem qualquer degradação do desempenho do detetor. Os tempos de arrefecimento são normalmente inferiores a 2 minutos. O sistema de espetroscopia de raios X Vortex-EM inclui uma unidade de deteção e uma caixa de controlo que inclui fontes de alimentação para o detetor, o TEC e um processador de impulsos digitais opcional com o software PI-SPEC. O detetor completo também contém um pré-amplificador sensível à carga e um sistema de estabilização de temperatura, que elimina as preocupações com a variação da temperatura ambiente.