Máquina de gravação de wafers IML-5-1

- É possível o controlo da velocidade de gravação alta e baixa - Neutralizador de ondas μ sem filamentos (Opções). - Montagem de EPD (detetor de ponto final) (Opções). - Disponível com gás reativo (Opções). - Fonte de iões RF sem filamentos do tipo balde (Opções) - Microfabricação para dispositivos MEMS, processamento de fios e eléctrodos de filtros de alta frequência e semicondutores compostos, processamento de micropadronização/formação de sensores magnéticos, etc. Avaliação de equipamentos Fornecemos gratuitamente, pela primeira vez, amostras de processamento adaptadas à aplicação do cliente. A nossa empresa deve ser informada sobre o tamanho da bolacha, o número de bolachas a processar, etc. Tamanho da fonte de iões - Φ200 Tensão da fonte de iões - 300～1000V Densidade de corrente - ~ 1 mA/cm2 Substrato do objeto - 1 × 5 " Movimento do suporte - Rotação e inclinação Arrefecimento do suporte - Arrefecimento a água / Arrefecimento a gás