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- Componente Óptico
- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD6-16de avalanchePINsem encapsulamento
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Características
- Especificações
- InGaAs, de avalanche
- Montagem
- PIN, sem encapsulamento
Descrição
Introdução
Este chip de fotodiodo de avalanche de 25Gbps (chip APD) é uma espécie de estrutura de eléctrodo de sinalização terrestre (GS), com área activa iluminada no topo é Φ16μm. As características deste produto são alta multiplicação, baixa capacitância, alta largura de banda, baixo coeficiente de temperatura e excelente fiabilidade, aplicação em EPON 25G, 5G Wireless e 100GBASE-ER4.
Características
Φ16μm área activa.
Elevada multiplicação.
Elevada taxa de dados: 25Gbps acima.
Baixa capacitância.
Baixo coeficiente de temperatura.
Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE.
100% de testes e inspecção.
Aplicações
25Gbps PON
100GBASE-ER4（ER4-lite）
5G Wireless.
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