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- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-D6-20PIN
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Características
- Especificações
- InGaAs
- Montagem
- PIN
Descrição
Descrição
Este chip de fotodiodo de 10Gbps de alta taxa de dados é a estrutura InGaAs/InP PIN e top-illuminated. As características são alta responsabilidade, baixa capacitância, baixa corrente escura, o tamanho da área activa é Φ50μm, ânodo e almofada de ligação catódica no topo para a ligação de fios do pacote TO-CAN. Aplicação em receptor de 10Gbps.
Características
Φ20μm área activa.
Estrutura da almofada de ligação Terra-Sinal-Ground (GSG) no topo.
Baixa corrente escura, baixa capacitância, alta responsabilidade.
Taxa de data até 25Gbps.
Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
100% de testes e inspecção.
Conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU).
Aplicações
100 Gigabit Ethernet
ligações analógicas de 20GHz.
Teste e medição de alta velocidade.
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