Fotodiodo InGaAs XSJ-10-M-500BM

PIN

Descrição Este chip de fotodíodo InGaAs/InP monitor com grande área activa, que é estrutura planar com ânodo no topo e cátodo no verso. O tamanho da área activa é Φ500μm, e alta reactividade na região de comprimento de onda de 1100nm a 1700nm. Aplicação na monitorização da saída de potência óptica a partir da face posterior de vários LD. Características Φ500μm área activa. Alta responsabilidade. Elevada linearidade. Baixa corrente escura. Baixa tensão de polarização de funcionamento. Apoio ao processo de solda AnSn. -40℃ a 85℃ gama de operação. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE. 100% de testes e inspecção. Está disponível uma dimensão personalizada do chip. Conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU). Aplicações Monitorização da potência do laser da face posterior.