Matriz de fotodiodos PIN XSJ-10-D8A-80L-KB4-500

chip

4X200Gbps 500μm Die Pitch 1X4Array Chip PIN PD iluminado na parte inferior Este chip de fotodiodo 4X112GBaud Array 800Gbps, que é iluminado na parte inferior e estrutura de mesa, chip de fotodiodo PIN de alta taxa de dados, com lente Φ80μm integrada na parte inferior do chip. Suas características são alta, baixa capacitância, baixa corrente escura e excelente confiabilidade, aplicação 910nm a 1650nm com comprimento de onda de fibra monomodo, com taxa de data de até 200Gbps de comprimento de onda longo recetor ótico. Características 1.Lente Φ80pm integrada na parte inferior. 2. Estrutura de almofada de ligação Terra-Sinal-Terra (GSG), matriz 4X112GBaud. 3. Baixa corrente escura, baixa capacitância, alta responsabilidade. 4. Taxa de dados: ≥ 112GBaud/canal. 5. Passo da matriz: 500μm. 6. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação, conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% de testes e inspeção. 8. Conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU). Aplicações 1. módulos ópticos 800G 2. 1.módulos ópticos 6T